ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
8.2.1.1.2 自舉電容器和 GVDD 電容器選型
自舉電容器的大小必須能夠維持自舉電壓高于欠壓鎖定以實現正常運行。方程式 4 用于計算自舉電容器上允許的最大壓降：
方程式 4. 
=12V – 0.85V – 4.45V = 6.7V
其中
- VGVDD 是柵極驅動器的電源電壓
- VBOOTD 是自舉二極管的正向壓降
- VBSTUV 是自舉欠壓鎖定的閾值
在該示例中，自舉電容器上允許的壓降為 6.7V。通常建議應盡可能降低自舉電容器和 GVDD 電容器上的紋波電壓。商業、工業和汽車應用中的常用紋波值介于 0.5V 和 1V 之間。
每個開關周期所需的總電荷可以通過方程式 5 進行估算：
方程式 5.
=54nC + 115μA/20kHz = 54nC + 5.8nC = 59.8nC
其中
- QG 是總 MOSFET 柵極電荷
- ILBS_TRAN 是自舉引腳漏電流
- fSW 是 PWM 頻率
假設 ΔVBSTx 為 1V，則最小自舉電容器可通過以下公式進行估算：
方程式 6. 
= 59.8nC / 1V = 59.8nF
計算出的最小自舉電容值為 59.8nF。請注意，這是全偏置電壓條件下所需的電容值。實際應用中，自舉電容值必須大于計算值，才能確保在功率級可能因各種瞬態條件而發生脈沖跳躍的情況下正常使用。在本示例中，建議使用 100nF 自舉電容器。此外，還建議預留足夠的裕度，并將自舉電容器盡可能靠近 BSTx 和 SHx 引腳放置。
方程式 7. 
= 10*100nF= 1μF
對于該示例應用，選擇 1μF CGVDD 電容器。選擇電壓等級至少是其將承受的最大電壓兩倍的電容器，因為大多數陶瓷電容器在偏置時會損失大量電容。該值還可提高系統的長期可靠性。
注： 對于需要以更長時間提供 100% 占空比支持的更高功率系統，建議使用 ≥1μF 的 CBSTx 和 ≥10μF 的 CGVDD。