ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
5 引腳配置和功能
圖 5-1 DRV8329 REE 封裝36 引腳 VQFN（帶有外露散熱焊盤）頂視圖表 5-1 引腳功能 - 36 引腳 DRV8329 器件
| 名稱 | 引腳編號 | 類型 | 說明 | |
|---|---|---|---|---|
| DRV8329 | ||||
| AGND | 25 | PWR | 器件模擬接地。有關(guān)連接的建議，請參閱。 | |
| AVDD | 26 | PWR-O | 3.3V 穩(wěn)壓器輸出。在 AVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、>6.3V 陶瓷電容器。該穩(wěn)壓器可從外部拉取高達 80mA 的電流。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| BSTA | 9 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTA 和 SHA 之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、25V 的陶瓷電容器 | |
| BSTB | 13 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTB 和 SHB 之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、25V 的陶瓷電容器 | |
| BSTC | 17 | O | 自舉輸出引腳。在 BSTC 和 SHC 之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、25V 的陶瓷電容器 | |
| CSAGAIN | 33 | I | 電流檢測放大器的增益設(shè)置。該引腳是由外部電阻器設(shè)置的 4 電平輸入引腳。有關(guān)更多信息，請參閱。 | |
| CSAREF | 1 | I | 電流檢測放大器基準(zhǔn)。在 CSAREF 和 AGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、0.1μF、6.3V 陶瓷電容器。 | |
| CPH | 7 | PWR | 電荷泵開關(guān)節(jié)點。在 CPH 引腳和 CPL 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、額定電壓為 PVDD 的陶瓷電容器。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| CPL | 6 | PWR | ||
| DRVOFF | 24 | I | 獨立驅(qū)動器關(guān)斷路徑。通過將柵極驅(qū)動器置于下拉狀態(tài)，將 DRVOFF 拉高可關(guān)斷所有外部 MOSFET。該信號繞過并覆蓋 DRV8329 的數(shù)字內(nèi)核。 | |
| DT | 3 | I | 柵極驅(qū)動器死區(qū)時間設(shè)置。在 DT 和 GND 之間連接一個值介于 10kΩ 與 390kΩ 之間的電阻，以在 100ns 至 2000ns 之間調(diào)節(jié)死區(qū)時間。如果引腳懸空或連接到 GND，則會插入固定為 55ns 的死區(qū)時間。 | |
| GHA | 11 | O | 高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 | |
| GHB | 15 | O | 高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 | |
| GHC | 19 | O | 高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 | |
| GLA | 12 | O | 低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 | |
| GLB | 16 | O | 低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 | |
| GLC | 20 | O | 低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 | |
| GVDD | 8 | PWR-O | 柵極驅(qū)動器電源輸出。在 GVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、額定電壓為 30V、容值 ≥ 10uF 的陶瓷局部電容器。TI 建議使用大于 10 倍 CBSTx 的電容器容值和至少兩倍于引腳正常工作電壓的額定電壓。 | |
| GND | 4 | PWR | 器件接地。有關(guān)連接的建議，請參閱。 | |
| INHA | 29 | I | A 相的高側(cè)柵極驅(qū)動器控制輸入。該引腳控制高側(cè) FET 的輸出。 | |
| INHB | 28 | I | B 相的高側(cè)柵極驅(qū)動器控制輸入。該引腳控制高側(cè) FET 的輸出。 | |
| INHC | 27 | I | C 相的高側(cè)柵極驅(qū)動器控制輸入。該引腳控制高側(cè) FET 的輸出。 | |
| INLA | 32 | I | A 相的低側(cè)柵極驅(qū)動器控制輸入。該引腳控制低側(cè) FET 的輸出。 | |
| INLB | 31 | I | B 相的低側(cè)柵極驅(qū)動器控制輸入。該引腳控制低側(cè) FET 的輸出。 | |
| INLC | 30 | I | C 相的低側(cè)柵極驅(qū)動器控制輸入。該引腳控制低側(cè) FET 的輸出。 | |
| LSS | 21 | PWR | 低側(cè)源極引腳，連接此處外部低側(cè) MOSFET 的所有源極。該引腳是低側(cè)柵極驅(qū)動器的灌電流路徑，并用作監(jiān)測低側(cè) MOSFET VDS 電壓和 VSEN_OCP 電壓的輸入。 | |
| nFAULT | 35 | OD | 故障指示燈輸出。該引腳在發(fā)生故障期間被拉至邏輯低電平，并且需要使用一個連接到 3.3V 至 5.0V 電壓的外部上拉電阻器。 | |
| nSLEEP | 34 | I | 睡眠模式進入引腳。當(dāng)該引腳被拉至邏輯低電平時，器件進入低功耗睡眠模式。可以使用一個 1μs 至 1.2μs 的低電平脈沖來復(fù)位故障條件，而不進入睡眠模式。 | |
| PVDD | 5 | PWR | 柵極驅(qū)動器電源輸入。連接到電橋電源。在 PVDD 和 GND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、0.1μF、額定電壓 >2x PVDD、容值 >10uF 的陶瓷局部電容器。TI 建議電容器的額定電壓至少是引腳正常工作電壓的兩倍。 | |
| SHA | 10 | I/O | 高側(cè)源極引腳。連接到高側(cè)功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側(cè)柵極驅(qū)動器灌電流的輸出。 | |
| SHB | 14 | I/O | 高側(cè)源極引腳。連接到高側(cè)功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側(cè)柵極驅(qū)動器灌電流的輸出。 | |
| SHC | 18 | I/O | 高側(cè)源極引腳。連接到高側(cè)功率 MOSFET 源極。該引腳是 VDS 監(jiān)視器的輸入和高側(cè)柵極驅(qū)動器灌電流的輸出。 | |
| SO | 2 | O | 電流檢測放大器輸出。支持容性負載或低通濾波器（串聯(lián)電阻器和電容器至 GND） | |
| SP | 22 | I | 電流采樣放大器輸入。連接到低側(cè)功率 MOSFET 源極和電流采樣電阻的高側(cè)。 | |
| SN | 23 | I | 電流檢測放大器輸入。連接到電流采樣電阻的低側(cè)。 | |
| VDSLVL | 36 | I | VDS 監(jiān)測跳閘點設(shè)置。連接 0.1V 至 2.5V 的模擬電平輸入，以便設(shè)置 VDS 監(jiān)測跳閘點，從而實現(xiàn) MOSFET 過流保護。有關(guān)更多信息，請參閱。 | |
| 散熱焊盤 | PWR | 必須連接到 GND | ||