ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
8.4.1 布局指南
使用推薦容值為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 PVDD 引腳旁路至 PGND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置，并通過較寬的引線或通過接地平面連接到 PGND 引腳。此外，使用額定電壓為 PVDD 的大容量電容器旁路 PVDD 引腳。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10μF。
需要額外的大容量電容來旁路掉外部 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時應做到盡可能縮短通過外部 MOSFET 的大電流路徑的長度。連接金屬走線應盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法盡可能地減小了電感并使大容量電容器提供高電流。
在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。該電容器應為 470nF，額定電壓為 PVDD，類型為 X5R 或 X7R。
自舉電容器 (BSTx-SHx) 應靠近器件引腳放置，盡可能地減小柵極驅動路徑的環路電感。
死區時間電阻器 (RDT) 應盡可能靠近 DT 引腳放置。
使用容值為 1μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 AVDD 引腳旁路至 AGND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 AGND 引腳的路徑。
盡可能地縮短高側和低側柵極驅動器的回路長度。高側環路是從器件的 GHx 引腳到高側功率 MOSFET 柵極，然后沿著高側 MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側環路是從器件的 GLx 引腳到低側功率 MOSFET 柵極，然后沿著低側 MOSFET 源極返回到 PGND 引腳。
在設計功率更高的系統時，PCB 布局中的物理特性會產生寄生電感、電容和阻抗，從而影響系統的性能，如圖 8-20 所示。了解功率較高的電機驅動系統中存在的寄生效應可以幫助設計人員通過良好的 PCB 布局來減輕其影響。有關更多信息，請訪問大功率電機驅動器應用的系統設計注意事項和電機驅動器電路板布局布線最佳實踐應用手冊。
圖 8-20 BLDC 電機驅動器功率級 PCB 中的寄生效應柵極驅動器引線（BSTx、GHx、SHx、GLx、LSS）的寬度應至少為 15mil-20mil，并且到 MOSFET 柵極的距離應盡可能短，從而盡可能地減小寄生電感和阻抗。這有助于提供較大的柵極驅動電流，有效地使 MOSFET 導通，并改善 VGS 和 VDS 監控。如果使用分流電阻器來監控從 LSS 到 GND 的低側電流，請確保所選分流電阻器較寬，以便盡可能地減小在低側源極 LSS 處引入的電感。
TI 建議將所有非功率級電路（包括散熱焊盤）連接到 GND，以降低寄生效應并改善器件的功率耗散。確保接地端通過網絡連接或寬電阻器連接，以減小電壓偏移并保持柵極驅動器性能。
器件散熱焊盤應焊接到 PCB 頂層接地平面。應使用多個過孔連接到較大的底層接地平面。使用大金屬平面和多個過孔有助于散發器件中產生的熱量。
為了提高熱性能，請在 PCB 的所有可能層上盡可能地增大連接到散熱焊盤接地端的接地面積。使用較厚的覆銅可以降低結至空氣熱阻并改善芯片表面的散熱。