ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 三相無刷直流電機(jī)控制
- 8.2.2 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2.1.1.7 VDSLVL 選擇
VDSLVL 是一個模擬電壓，用于直接設(shè)置用于過流保護(hù)的 VDS 過流閾值。它可以直接從模擬電壓源（如數(shù)模轉(zhuǎn)換器）獲得，也可以從電壓軌（如 AVDD 的電阻分壓器）中分壓獲得，如圖 8-7 所示。
圖 8-7 使用電阻分壓器從電壓軌設(shè)置 VDSLVL方程式 10 和方程式 11 可用于使用電阻分壓器通過電壓源設(shè)置所需的 VDSLVL 電壓，以在給定所用 MOSFET 的 RDS,on 的情況下建立過流限制：
其中：
VVDSLVL = VDSLVL 電壓
IOCP = VDS 過流限制
RDS,on = MOSFET 導(dǎo)通電阻
VIN = VDSLVL 分壓器的電壓源
R1/R2 = 用于設(shè)置 VDSLVL 的電阻比
例如，如果使用 AVDD 的電阻分壓器來設(shè)置 30A 的過流跳變閾值并且 MOSFET RDS(ON) = 10mΩ，則 VDSLVL = 0.3V。
在某些應(yīng)用中，直接驅(qū)動電機(jī)電源的電池電壓 (VBAT) 和為 DRV8329 供電的 PVDD 電壓之間會存在差異。由于高側(cè) VDS 監(jiān)控以 PVDD-SHx 為基準(zhǔn)，因此需要適當(dāng)?shù)剡x擇 VDSLVL 以適應(yīng) VBAT 和 PVDD 的差異。
如果 PVDD 和 VDSLVL 之間存在差異，則方程式 12 有助于選擇合適的 VDSLVL：
例如，如果 VBAT = 24.0V、PVDD = 23.3V、Rdson = 10mΩ 且 I_OC = 30A，則 VDSLVL 應(yīng)等于 1.0V，以便檢測高側(cè) FET 上的 30A 過流事件和低側(cè) FET 上的 100A 過流事件。