ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過(guò)熱關(guān)斷限制 (TOTSD) 的跳閘點(diǎn),則會(huì)識(shí)別到 OTSD 事件。檢測(cè)到 OTSD 過(guò)熱事件后,所有柵極驅(qū)動(dòng)器輸出都被驅(qū)動(dòng)為低電平以禁用外部 MOSFET,電荷泵被禁用,并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平。在 OTSD 條件被清除后,故障狀態(tài)保持鎖存狀態(tài),并可通過(guò) nSLEEP 引腳復(fù)位脈沖(tRST) 清除。