ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
8.2.1.1.3 柵極驅動電流
在開啟或關閉功率 MOSFET 柵極以開關電機電流時，選擇合適的柵極驅動電流至關重要。MOSFET 的柵極驅動電流和輸入電容的大小決定了漏源電壓壓擺率 (VDS)。柵極驅動電流可從 GVDD 流入 MOSFET 柵極 (ISOURCE) 或從 MOSFET 柵極流入 SHx 或 LSS (ISINK)。
使用過高的柵極驅動電流會造成 MOSFET 導通過快，這可能會導致過度振鈴、dV/dt 耦合或開關大電流引起的跨導。如果系統中存在寄生電感和電容，則可能會出現電壓尖峰或振鈴，這可能會損壞 MOSFET 或 DRV8329 器件。
圖 8-2 高柵極驅動電流的影響另一方面，使用過低的柵極驅動電流會導致較慢的 VDS 壓擺率。由于 RDS,on 開關損耗，MOSFET 的導通速度太慢可能會使 MOSFET 升溫。
柵極驅動電流 IGATE、MOSFET 柵漏電荷 QGD 和 VDS 壓擺率開關時間 trise,fall 之間的關系如以下公式所示：
方程式 8.
方程式 9.
建議在較低的柵極驅動電流下進行評估并增加柵極驅動電流設置，避免在初始評估期間因意外操作而造成損壞。