ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 三相無(wú)刷直流電機(jī)控制
- 8.2.2 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REE|36
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.2.1.1.5.2 外部功率級(jí)元件
設(shè)計(jì)不需要在功率級(jí)中使用外部元件，但外部元件有助于抑制瞬態(tài)、管理電感器線圈能量、減輕電源泵回、抑制相位振鈴或提供強(qiáng)大的柵源下拉路徑。這些元件用于系統(tǒng)調(diào)優(yōu)和調(diào)試，從而確保 BLDC 電機(jī)系統(tǒng)穩(wěn)健，同時(shí)避免損壞 DRV8329 器件或外部 MOSFET。
圖 8-5 展示了設(shè)計(jì)中可以放置功率級(jí)元件的最佳位置示例。
圖 8-5 可選的外部功率級(jí)元件表 8-2 列出了一些問(wèn)題示例和可以解決這些問(wèn)題的外部元件：
問(wèn)題 | 分辨率 | 元件 |
|---|---|---|
所需的柵極驅(qū)動(dòng)電流太大，從而導(dǎo)致 MOSFET VDS 壓擺率非常快 | 需要使用串聯(lián)電阻器來(lái)實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)電流可調(diào)節(jié)性 | 柵極驅(qū)動(dòng)器輸出端 (GHx/GLx) 處的 0Ω 至 100Ω 串聯(lián)電阻器 (RGATE/RSOURCE)、可選灌電流電阻器 (RSINK) 以及與柵極電阻器并聯(lián)的二極管，以實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)灌電流 |
相位開關(guān)節(jié)點(diǎn) (SHx) 處發(fā)生振鈴，從而導(dǎo)致很高的 EMI 發(fā)射 | 與每個(gè) HS/LS MOSFET 并聯(lián)放置 RC 緩沖器，以抑制振蕩 | 與 MOSFET 并聯(lián)放置的電阻器 (RSNUB) 和電容器 (CSNUB)，使用適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的 RC 緩沖器設(shè)計(jì)根據(jù)振鈴頻率計(jì)算 RC 值 |
低側(cè)源極 (LSS) 的負(fù)瞬態(tài)低于最小規(guī)格 | 在 HS 漏極和 LS 源極之間連接一個(gè)電容器，以抑制負(fù)反彈 | 來(lái)自 PVDD-LSS (CHSD_LSS) 的 0.01uF-1uF VM 等級(jí)電容器，放置在 LS MOSFET 的源極附近 |
低側(cè)柵極 (GLx) 的負(fù)瞬態(tài)低于最小規(guī)格 | 使用柵極和地之間的齊納二極管來(lái)鉗制負(fù)電壓 | GVDD 電壓額定齊納二極管 (DGS)，陽(yáng)極連接到 GND，陰極連接到 GLx |
如果柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高阻態(tài)，則需要額外的保護(hù)以確保 MOSFET 關(guān)閉 | 使用外部柵源下拉電阻器（在串聯(lián)柵極電阻器之后） | 在每個(gè) MOSFET 的柵極和源極之間連接 10kΩ 至 100kΩ 電阻器 (RPD) |