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ZHCSUO9A February 2024 – July 2025 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DDW|44
- MPDS309B

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

DDW|44
- PPTD374

訂購信息

5.5 電氣特性

典型值為 T_A = 25°C 條件下的值。除非另有說明，否則所有限值都是推薦工作條件下的限值。

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓（VM、DVDD）
I_VM	VM 工作電源電流	nSLEEP = 1，無負載，VCC = 外部 5V		5	8	mA
I_VM	VM 工作電源電流	nSLEEP = 1，無電機負載，VCC = DVDD		8.5	13	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式電源電流	nSLEEP = 0		3	8	μA
t_SLEEP	睡眠時間	nSLEEP = 0 至睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 復位脈沖	nSLEEP 低電平至清除故障	20		40	μs
t_WAKE	喚醒時間	nSLEEP = 1 至輸出轉換		0.75	1	ms
t_ON	導通時間	VM > UVLO 至輸出轉換		0.8	1.3	ms
V_DVDD	內部穩壓器電壓	無外部負載，6V < V_VM < 60V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	內部穩壓器電壓	無外部負載，V_VM = 4.5V	4.3	4.45		V
電荷泵（VCP、CPH、CPL）
V_VCP	VCP 工作電壓	6V < V_VM < 60V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	電荷泵開關頻率	V_VM > UVLO；nSLEEP = 1		360		kHz
邏輯電平輸入（IN1、IN2、IN3、IN4、OCPM、MODE1、MODE2、nSLEEP）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.6	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		1.5		5.5	V
V_HYS	輸入邏輯遲滯			100		mV
V_HYS _nSLEEP	nSLEEP 邏輯遲滯			300		mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流（MODE2 除外）	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	輸入邏輯高電平電流（MODE2 除外）	V_IN = 5V			50	μA
R_PU	MODE2 內部上拉電阻			220		kΩ
t_PDH^¹	INx 高電平到 OUTx 高電平傳播延遲			600		ns
t_PDL^¹	INx 低電平到 OUTx 低電平傳播延遲			600		ns
三電平輸入 (DECAY)
V_I1	輸入邏輯低電平電壓	連接至 GND	0		0.6	V
V_I2	輸入高阻抗電壓	高阻抗（>500k? 至 GND）	1.8	2	2.2	V
V_I3	輸入邏輯高電平電壓	連接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_O	輸出上拉電流			10.5		μA
四電平輸入 (TOFF)
V_I1	輸入邏輯低電平電壓	連接至 GND	0		0.6	V
V_I2		330k? ± 5% 至 GND	1	1.25	1.4	V
V_I3	輸入高阻抗電壓	高阻抗（>500k? 至 GND）	1.8	2	2.2	V
V_I4	輸入邏輯高電平電壓	連接至 DVDD	2.7		5.5	V
I_O	輸出上拉電流			10.5		μA
控制輸出 (nFAULT)
V_OL	輸出邏輯低電平電壓	I_O = 5mA			0.3	V
I_OH	輸出邏輯高電平漏電流		-1		1	μA
電機驅動器輸出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
R_{DS(ONH_DUAL)}	雙路 H 橋、高側 FET 導通電阻	T_J = 25°C、I_O = -5A		50	60	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = -5A		75	94	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = -5 A		85	107	mΩ
R_{DS(ONL_DUAL)}	雙路 H 橋、低側 FET 導通電阻	T_J = 25°C、I_O = 5A		50	60	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = 5A		72	90	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = 5 A		80	100	mΩ
R_{DS(ONH_SINGLE)}	單路 H 橋、高側 FET 導通電阻	T_J = 25°C、I_O = -5A		25	30	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = -5A		38	47	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = -5A		43	54	mΩ
R_{DS(ONL_SINGLE)}	單路 H 橋、低側 FET 導通電阻	T_J = 25°C、I_O = 5A		25	30	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = 5A		36	45	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = 5 A		40	50	mΩ
I_LEAK	輸出漏電流至 GND	睡眠模式，H 橋處于高阻態，V_VM = 60V			300	μA
t_RF	輸出上升/下降時間	I_O = 5A，介于 10% 和 90% 之間		110		ns
t_D	輸出死區時間	VM = 24V，I_O = 5A		300		ns
電流檢測和調節（IPROPI、VREF）
A_IPROPI	電流鏡增益			212		μA/A
A_ERR	電流鏡比例誤差	10% 至 20% 額定電流	-12		12	%
		20% 至 40% 額定電流	-7		7
		40% 至 100% 額定電流	-4		4
I_VREF	VREF 漏電流	VREF = 3.3V			30	nA
t_OFF	PWM 關斷時間	TOFF = 0		7		μs
		TOFF = 1		16
		TOFF = Hi-Z		24
		TOFF = 330kΩ 至 GND		32
t_DEG	電流調節抗尖峰脈沖時間			0.5		μs
t_BLK	電流調節消隱時間			1.5		μs
保護電路
V_UVLO	VM UVLO 鎖定	VM 下降	4.1	4.25	4.35	V
V_UVLO	VM UVLO 鎖定	VM 上升	4.2	4.35	4.45	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 鎖定	VCC 下降	2.7	2.8	2.9	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 鎖定	VCC 上升	2.8	2.9	3.05	V
V_UVLO,HYS	欠壓遲滯	上升至下降閾值		100		mV
V_CPUV	電荷泵欠壓	VCP 下降		V_VM + 2		V
I_OCP	過流保護	雙路 H 橋，流經任何 FET 的電流	8			A
I_OCP	過流保護	單路 H 橋，流經任何 FET 的電流	16			A
t_OCP	過流檢測延遲			2.1		μs
t_RETRY	過流重試時間			4.1		ms
T_OTSD	熱關斷	內核溫度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	熱關斷遲滯	內核溫度 T_J		20		°C

(1) 經設計驗證。

圖 5-1 IPROPI 時序圖