產品詳情

Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 70 Peak output current (A) 10 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 100 Sleep current (μA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Low-Power Sleep Mode Topology Integrated FET Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 70 Peak output current (A) 10 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 100 Sleep current (μA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Integrated Current Sensing, Low-Power Sleep Mode Topology Integrated FET Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTSSOP (DDW) 44 113.4 mm2 14 x 8.1
  • 符合汽車應用要求的 AEC-Q100
    • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系統設計的文檔
    • 單路或雙路 H 橋電機驅動器
    • 驅動一個或兩個有刷直流電機
    • 一個步進電機
    • 一個或兩個熱電冷卻器 (TEC)
  • 4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
  • 低 RDS(ON)：
    • 100mΩ HS + LS（雙路 H 橋）
    • 50mΩ HS + LS（單路 H 橋）
  • 高輸出電流能力：
    • 雙路 H 橋（24V，25°C）：8A 峰值
    • 單路 H 橋（24V，25°C）：16A 峰值
  • 可編程運行接口 -
    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM (IN/IN)
  • 集成式電流檢測和調節
    • 高側 MOSFET 的電流檢測
    • 每個 H 橋的檢測輸出 (IPROPI)
    • 最大電流下的檢測精度 ± 4 %
  • 單獨的邏輯電源電壓 (VCC)
  • 可配置的關斷時間 PWM 斬波
    • 7μs、16μs、24μs 或 32μs

  • 可編程故障恢復方法

  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
  • 低電流睡眠模式 (3μA)
  • 保護特性
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護 (OCP)
    • 熱關斷 (OTSD)
    • 故障狀態輸出 (nFAULT)
  • 符合汽車應用要求的 AEC-Q100
    • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系統設計的文檔
    • 單路或雙路 H 橋電機驅動器
    • 驅動一個或兩個有刷直流電機
    • 一個步進電機
    • 一個或兩個熱電冷卻器 (TEC)
  • 4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
  • 低 RDS(ON)：
    • 100mΩ HS + LS（雙路 H 橋）
    • 50mΩ HS + LS（單路 H 橋）
  • 高輸出電流能力：
    • 雙路 H 橋（24V，25°C）：8A 峰值
    • 單路 H 橋（24V，25°C）：16A 峰值
  • 可編程運行接口 -
    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM (IN/IN)
  • 集成式電流檢測和調節
    • 高側 MOSFET 的電流檢測
    • 每個 H 橋的檢測輸出 (IPROPI)
    • 最大電流下的檢測精度 ± 4 %
  • 單獨的邏輯電源電壓 (VCC)
  • 可配置的關斷時間 PWM 斬波
    • 7μs、16μs、24μs 或 32μs

  • 可編程故障恢復方法

  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
  • 低電流睡眠模式 (3μA)
  • 保護特性
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護 (OCP)
    • 熱關斷 (OTSD)
    • 故障狀態輸出 (nFAULT)

DRV8262-Q1 是一款寬電壓、高功率 H 橋電機驅動器，適用于 24V 和 48V 汽車應用。該器件集成了兩個 H 橋來驅動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。DRV8262-Q1 在雙路 H 橋模式下支持高達 8A 的峰值電流，在單路 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調節、電流檢測輸出以及保護電路。

在啟動期間和高負載事件中，高側 MOSFET 兩端的集成電流檢測功能可實現通過驅動器調節電機電流。利用可調外部電壓基準，可設置電流限值。該器件還提供與每個 H 橋的電機電流成正比的輸出電流。集成感應消除了對分流電阻的需求，因而可以節省電路板面積并降低系統成本。

該器件提供一種低功耗睡眠模式，可實現超低靜態電流。提供的內部保護特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV) 保護、輸出過流 (OCP) 保護和器件過熱 (OTSD) 保護。

DRV8262-Q1 是一款寬電壓、高功率 H 橋電機驅動器，適用于 24V 和 48V 汽車應用。該器件集成了兩個 H 橋來驅動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。DRV8262-Q1 在雙路 H 橋模式下支持高達 8A 的峰值電流，在單路 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調節、電流檢測輸出以及保護電路。

在啟動期間和高負載事件中，高側 MOSFET 兩端的集成電流檢測功能可實現通過驅動器調節電機電流。利用可調外部電壓基準，可設置電流限值。該器件還提供與每個 H 橋的電機電流成正比的輸出電流。集成感應消除了對分流電阻的需求，因而可以節省電路板面積并降低系統成本。

該器件提供一種低功耗睡眠模式，可實現超低靜態電流。提供的內部保護特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV) 保護、輸出過流 (OCP) 保護和器件過熱 (OTSD) 保護。
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技術文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 DRV8262-Q1 ：具有電流檢測輸出的 60V 單路或雙路 H 橋電機驅動器 ，適用于 24V 和 48V 汽車應用 數據表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英語版本 PDF | HTML 2025年 10月 13日
功能安全信息 DRV8262-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2024年 2月 16日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計和開發

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

DRV8262EVM — DRV8262 采用 DDW 封裝的單路或雙路 H 橋電機驅動器評估模塊

DRV8262EVM 展示了 DRV8262DDWR. 的特性和性能。它集成了兩個 H 橋來驅動兩個直流電機或一個雙極步進電機。兩個 H 橋可并聯在一起以驅動一個電流更高的直流電機。

該器件可在 4.5V 至 65V 的電源電壓范圍內運行，能夠驅動高達 5A 的滿量程電流，并聯時可驅動 10A 的電流。

用戶指南: PDF | HTML
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (DDW) 44 Ultra Librarian

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包含信息：
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  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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