ZHCSUO9A February 2024 – July 2025 DRV8262-Q1
PRODUCTION DATA
對于具有高側(cè)再循環(huán)功能的 H 橋，每個 FET 的功率損耗近似值計算如下：
其中，
tRF = 輸出電壓上升/下降時間
對于估算反向負(fù)載電流的功率損耗，可采用相同的公式，僅將 HS1 與 HS2 和 LS1 與 LS2 互換。
在上面的公式中替換以下值：
每個 FET 中的損耗可按以下公式計算：
PHS1 = 50mΩ × 42 = 0.8W
PLS1 = 0
PHS2 = [50mΩ × 42 x (1-0.5)] + [2 x 1V x 4A x 300ns x 20KHz] = 0.448W
PLS2 = [ 50mΩ × 42 x 0.5] + [24 x 4A x 110ns x 20kHz] = 0.611W
靜態(tài)電流損耗 PQ = 24V × 5mA = 0.12W
PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.8 + 0 + 0.448 + 0.611) + 0.12 = 3.84W