ZHCSU60A May 2023 – January 2024 PCMD3180-Q1
PRODUCTION DATA
PCMD3180-Q1 通過在內部生成低噪聲基準電壓來實現低噪聲性能。該基準電壓是使用具有高 PSRR 性能的帶隙電路生成的，必須使用連接在 VREF 引腳和模擬地 (AVSS) 之間的 1μF 電容器進行外部濾波。
可以使用 P0_R59_D[1:0] 寄存器位配置該基準電壓的值，并且必須根據系統中可用的 AVDD 電源電壓將其設置為適當的值。默認 VREF 值被設置為 2.75V，這要求該模式需要的最小 AVDD 電壓為 3V。表 6-8 列出了支持的各種 VREF 設置以及該配置所需的 AVDD 范圍。
| P0_R59_D[1:0]：VREF_SEL[1:0] | VREF 輸出電壓 | AVDD 范圍要求 |
|---|---|---|
| 00（默認值） | 2.75 V | 3V 至 3.6V |
| 01 | 2.5V | 2.8 V 至 3.6 V |
| 10 | 1.375 V | 1.7 V 至 1.9 V |
| 11 | 保留 | 保留 |
為了實現低功耗，該音頻基準塊會按節 6.4.2 中所述斷電。退出睡眠模式時，音頻基準模塊使用內部快速充電方案上電，而 VREF 引腳在穩定時間（與 VREF 引腳上的去耦電容器有關）后穩定到其穩態電壓。使用 1μF 去耦電容器時，該時間大約等于 3.5ms。如果在 VREF 引腳上使用更高值的去耦電容器，則必須使用 VREF_QCHG (P0_R2_D[4:3]) 寄存器位重新配置快速充電設置，這些位支持 3.5ms（默認值）、10ms、50ms 或 100ms 的選項。