ZHCSKQ5A July 2020 – April 2021 DRV8706-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
智能柵極驅(qū)動架構(gòu)的 IDRIVE 組件實現(xiàn)了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動電流控制，可調(diào)整外部 MOSFET VDS 壓擺率。實現(xiàn)此目標(biāo)的方法是為內(nèi)部柵極驅(qū)動器架構(gòu)實施可調(diào)節(jié)的上拉 (IDRVP) 和下拉 (IDRVN) 電流源。
外部 MOSFET VDS 壓擺率是用于優(yōu)化輻射和傳導(dǎo)發(fā)射、二極管反向恢復(fù)、dV/dt 柵極寄生耦合以及半橋開關(guān)節(jié)點上的過壓或欠壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。IDRIVE 的工作原理是，VDS 壓擺率主要取決于 MOSFET QGD 或米勒充電區(qū)域中提供的柵極電荷（或柵極電流）的速率。通過讓柵極驅(qū)動器調(diào)節(jié)柵極電流，可以有效地控制外部功率 MOSFET 的壓擺率。
IDRIVE 允許 DRV8706-Q1 通過 IDRVP_x 和 IDRVN_x SPI 寄存器或 H/W 接口器件上的 IDRIVE 引腳動態(tài)地更改柵極驅(qū)動器電流設(shè)置。該器件為拉電流和灌電流提供了介于 0.5 mA 和 62 mA 范圍之間的 16 種設(shè)置值，如表 7-8 所示。在 tDRIVE 持續(xù)時間內(nèi)可使用峰值柵極驅(qū)動電流。在 MOSFET 進行開關(guān)并且 tDRIVE 持續(xù)時間結(jié)束后，對于上拉的拉電流，柵極驅(qū)動器將切換到保持電流 (IHOLD)，以便在短路條件下限制輸出電流，并提高驅(qū)動器的效率。
| IDRVP_x/IDRVN_x | 拉電流/灌電流 (mA) |
|---|---|
| 0000b | 0.5 |
| 0001b | 1 |
| 0010b | 2 |
| 0011b | 3 |
| 0100b | 4 |
| 0101b | 6 |
| 0110b | 8 |
| 0111b | 12 |
| 1000b | 16 |
| 1001b | 20 |
| 1010b | 24 |
| 1011b | 28 |
| 1100b | 31 |
| 1101b | 40 |
| 1110b | 48 |
| 1111b | 62 |