ZHCSKQ5A July 2020 – April 2021 DRV8706-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 外部元件
- 7.3.2 器件接口類(lèi)型
- 7.3.3 輸入 PWM 模式
- 7.3.4 智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.3.5 倍增（單級(jí)）電荷泵
- 7.3.6 寬共模差分電流分流放大器
- 7.3.7 引腳圖
- 7.3.8
保護(hù)和診斷
- 7.3.8.1 柵極驅(qū)動(dòng)器禁用和啟用（DRVOFF 和 EN_DRV）
- 7.3.8.2 故障復(fù)位 (CLR_FLT)
- 7.3.8.3 DVDD 邏輯電源上電復(fù)位 (DVDD_POR)
- 7.3.8.4 PVDD 電源欠壓監(jiān)控器 (PVDD_UV)
- 7.3.8.5 PVDD 電源過(guò)壓監(jiān)控器 (PVDD_OV)
- 7.3.8.6 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (VCP_UV)
- 7.3.8.7 MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.8.8 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 (VGS_GDF)
- 7.3.8.9 熱警告 (OTW)
- 7.3.8.10 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.8.11 離線短路和開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)（OOL 和 OSC）
- 7.3.8.12 故障檢測(cè)和響應(yīng)匯總表
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 7.6 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購(gòu)信息
7.3.4.3 柵極驅(qū)動(dòng)狀態(tài)機(jī) (TDRIVE)
智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的 TDRIVE 元件是一個(gè)集成的柵極驅(qū)動(dòng)狀態(tài)機(jī)，可提供自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入、dV/dt 柵極寄生耦合預(yù)防和 MOSFET 柵極故障檢測(cè)等功能。
TDRIVE 狀態(tài)機(jī)的第一個(gè)作用是自動(dòng)死區(qū)時(shí)間握手。死區(qū)時(shí)間是外部高側(cè)和低側(cè) MOSFET 開(kāi)關(guān)期間體二極管導(dǎo)通的一段時(shí)間，旨在防止發(fā)生任何跨導(dǎo)或擊穿。DRV8706-Q1 使用 VGS 監(jiān)控器來(lái)實(shí)施斷路，然后通過(guò)測(cè)量外部 MOSFET VGS 電壓來(lái)確定正確啟用外部 MOSFET 的時(shí)間，從而建立死區(qū)時(shí)間方案。該方案使柵極驅(qū)動(dòng)器能夠針對(duì)系統(tǒng)變化（例如溫度漂移、老化、電壓波動(dòng)和外部 MOSFET 參數(shù)變化）來(lái)調(diào)整死區(qū)時(shí)間。如有需要，可插入一個(gè)額外的固定數(shù)字死區(qū)時(shí)間 (tDEAD_D)，并可通過(guò) SPI 寄存器對(duì)其進(jìn)行調(diào)整。
第二個(gè)作用側(cè)重于防止 dV/dt 柵極電荷寄生耦合。為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，每當(dāng)半橋中相反狀態(tài)的 MOSFET 開(kāi)關(guān)時(shí)可啟用柵極強(qiáng)下拉電流 (ISTRONG)。當(dāng)半橋開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)快速轉(zhuǎn)換時(shí)，使用此功能可以消除耦合到外部 MOSFET 柵極中的寄生電荷。
第三個(gè)作用是實(shí)施柵極故障檢測(cè)方案以檢測(cè)柵極電壓?jiǎn)栴}。這個(gè)方案用于檢測(cè)引腳對(duì)引腳的焊接缺陷、MOSFET 柵極故障或者柵極卡在高電壓或低電壓的情況。為此，需使用 VGS 監(jiān)控器在 tDRIVE 時(shí)間結(jié)束后測(cè)量柵極電壓。如果柵極電壓沒(méi)有達(dá)到適當(dāng)?shù)拈撝担瑬艠O驅(qū)動(dòng)器將報(bào)告相應(yīng)的故障情況。為確保不會(huì)檢測(cè)到偽故障，應(yīng)選擇比 MOSFET 柵極充放電所需時(shí)間更長(zhǎng)的 tDRIVE 時(shí)間。tDRIVE 時(shí)間不會(huì)影響 PWM 最小持續(xù)時(shí)間，如果收到另一個(gè) PWM 命令，此時(shí)間將提前終止。
圖 7-8 TDRIVE 狀態(tài)機(jī)