ZHCSKQ5A July 2020 – April 2021 DRV8706-Q1
PRODUCTION DATA
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使用推薦容值為 0.1 μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 PVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置,并通過較寬的跡線或接地平面連接到 GND 引腳。此外,使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 PVDD 引腳旁路掉。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10 μF。如果該電容與外部功率 MOSFET 的大容量電容共享,也是可接受的。
需要額外的大容量電容來旁路掉外部 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時應做到盡可能縮短通過外部 MOSFET 的大電流路徑的長度。連接金屬跡線應盡可能寬,并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法最大限度地減少了電感并允許大容量電容器提供大電流。
在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。該電容器的容值應為 0.1 μF,額定電壓為 PVDD,類型為 X5R 或 X7R。此外,在 VCP 和 PVDD 引腳之間放置一個低 ESR 陶瓷電容器。該電容器的容值應為 1 μF,額定電壓為 16V,類型為 X5R 或 X7R。
使用一個容值為 1.0 μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置,并盡量縮短從電容器到 GND 引腳的路徑。如果另一個旁路電容器靠近用于外部低壓電源的器件,并且電源上的噪聲很小,則可以選擇移除該元件。
使用一個容值為 0.1 μF、額定電壓為 6.3V 且類型為 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷電容器將 AREF 引腳旁路至 GND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置,并盡量縮短從電容器到 GND 引腳的路徑。如果另一個旁路電容器靠近用于外部低壓電源的器件,并且電源上的噪聲很小,則可以選擇移除該元件。
DRAIN 引腳可以直接短接到 PVDD 引腳。但是,如果器件和外部 MOSFET 之間的距離很大,請使用專用跡線連接到高側外部 MOSFET 的漏極公共點。不要將 SLx 引腳直接連接到接地平面,而是應該使用專用跡線將這些引腳連接到低側外部 MOSFET 的源極。遵循這些建議有助于更準確地感測外部 MOSFET 的 VDS 以實現過流檢測。
最大限度地縮短高側和低側柵極驅動器的回路長度。高側環路是從器件的 GHx 引腳到高側功率 MOSFET 柵極,然后沿著高側 MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側環路是從器件的 GLx 引腳到低側功率 MOSFET 柵極,然后沿著低側 MOSFET 源極返回到 SLx 引腳。