ZHCSKQ5A July 2020 – April 2021 DRV8706-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 外部元件
- 7.3.2 器件接口類(lèi)型
- 7.3.3 輸入 PWM 模式
- 7.3.4 智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.3.5 倍增（單級(jí)）電荷泵
- 7.3.6 寬共模差分電流分流放大器
- 7.3.7 引腳圖
- 7.3.8
保護(hù)和診斷
- 7.3.8.1 柵極驅(qū)動(dòng)器禁用和啟用（DRVOFF 和 EN_DRV）
- 7.3.8.2 故障復(fù)位 (CLR_FLT)
- 7.3.8.3 DVDD 邏輯電源上電復(fù)位 (DVDD_POR)
- 7.3.8.4 PVDD 電源欠壓監(jiān)控器 (PVDD_UV)
- 7.3.8.5 PVDD 電源過(guò)壓監(jiān)控器 (PVDD_OV)
- 7.3.8.6 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (VCP_UV)
- 7.3.8.7 MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù) (VDS_OCP)
- 7.3.8.8 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 (VGS_GDF)
- 7.3.8.9 熱警告 (OTW)
- 7.3.8.10 熱關(guān)斷 (OTSD)
- 7.3.8.11 離線(xiàn)短路和開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)（OOL 和 OSC）
- 7.3.8.12 故障檢測(cè)和響應(yīng)匯總表
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 7.6 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHB|32
訂購(gòu)信息
7.3.5 倍增（單級(jí)）電荷泵
外部 MOSFET 的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電壓是使用倍增電荷泵產(chǎn)生的，而該電荷泵采用 PVDD 電壓電源輸入端運(yùn)行。該電荷泵使高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠在寬輸入電源電壓范圍內(nèi)相對(duì)于源極電壓適當(dāng)?shù)仄猛獠?N 溝道 MOSFET。電荷泵輸出經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)可保持相對(duì)于 VPVDD 的固定電壓，并支持 15 mA 的平均輸出電流能力。電荷泵會(huì)受到持續(xù)監(jiān)控以確定是否發(fā)生欠壓事件，從而防止 MOSFET 出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)不足的情況。
電荷泵會(huì)被調(diào)節(jié)到 PVDD 引腳電壓，因此該器件不支持 PVDD 和 DRAIN 引腳之間過(guò)大的電壓差，這些電壓差應(yīng)該受到限制。
電荷泵需要在 PVDD 和 VCP 引腳之間放置一個(gè)低 ESR、1 μF、16V 陶瓷電容器（推薦使用 X5R 或 X7R）作為儲(chǔ)能電容器。此外，還需要在 CPH 和 CPL 引腳之間放置一個(gè)低 ESR、100 nF、PVDD 額定的陶瓷電容器（推薦使用 X5R 或 X7R）作為飛跨電容器。
圖 7-9 電荷泵架構(gòu)