ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說明
- 8.3.1 三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器
- 8.3.2 DVDD 線性穩(wěn)壓器
- 8.3.3 引腳圖
- 8.3.4 低側(cè)電流分流放大器 (DRV8353F)
- 8.3.5 柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
訂購信息
8.3.1.4 智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
DRV835xF 柵極驅(qū)動(dòng)器采用適用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的可調(diào)互補(bǔ)推挽拓?fù)洹Ｔ撏負(fù)湓试S對(duì)外部 MOSFET 柵極進(jìn)行強(qiáng)上拉和強(qiáng)下拉。
此外，柵極驅(qū)動(dòng)器使用智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)來提供對(duì)外部功率 MOSFET 的額外控制，采取額外措施來保護(hù) MOSFET，并允許在效率和穩(wěn)健性之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)權(quán)衡。該架構(gòu)是通過兩個(gè)被稱為 IDRIVE 和 TDRIVE 的元件實(shí)現(xiàn)的，Topic Link Label8.3.1.4.1 和Topic Link Label8.3.1.4.2 對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)介紹。圖 8-15 展示了柵極驅(qū)動(dòng)器的簡(jiǎn)要功能方框圖。
應(yīng)根據(jù)系統(tǒng)中使用的外部功率 MOSFET 的參數(shù)和所需的上升和下降時(shí)間初步選擇 IDRIVE 柵極驅(qū)動(dòng)電流和 TDRIVE 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)間（請(qǐng)參閱Topic Link Label9 部分）。
高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器還實(shí)現(xiàn)了一個(gè)齊納鉗位二極管，以在 MOSFET 發(fā)生外部短路事件時(shí)幫助保護(hù)外部 MOSFET 柵極免受過壓情況的影響。
圖 8-15 柵極驅(qū)動(dòng)器方框圖