ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
IDRIVE 元件實現了可調節的柵極驅動電流來控制 MOSFET VDS 壓擺率。MOSFET VDS 壓擺率是優化輻射發射、二極管恢復尖峰的能量和持續時間、導致擊穿的 dV/dt 柵極導通以及與外部半橋中寄生效應相關的開關電壓瞬態的關鍵因素。IDRIVE 的工作原理是，MOSFET VDS 壓擺率主要取決于 MOSFET QGD 或米勒充電區域中提供的柵極電荷（或柵極電流）的速率。通過讓柵極驅動器調節柵極電流，可以有效地控制外部功率 MOSFET 的壓擺率。
IDRIVE 允許 DRV835xF 系列器件通過 SPI 器件上的寄存器設置或硬件接口器件上的 IDRIVE 引腳在柵極驅動電流之間動態切換。SPI 器件提供 16 種 IDRIVE 設置，范圍介于 50mA 至 1A 拉電流和 100mA 至 2A 灌電流之間。硬件接口器件提供 7 種介于相同范圍之間的 IDRIVE 設置。柵極驅動電流設置值在 tDRIVE 持續時間內開啟和關閉外部功率 MOSFET 期間傳送到柵極。在 MOSFET 開啟或關閉后，柵極驅動器切換至較小的保持 IHOLD 電流，以提高柵極驅動器的效率。Topic Link Label8.6（對于 SPI 器件）和Topic Link Label8.3.3 （對于硬件接口器件）介紹了有關 IDRIVE 設置的其他詳細信息。