ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在發生 MOSFET VDS 或 VSENSE 過流故障的情況下,驅動器使用特殊的關斷序列來保護驅動器和 MOSFET 免受大電壓開關瞬態的影響。當存在大漏源電流(例如在過流事件期間)時,如果快速關閉外部 MOSFET,則會產生這些大電壓瞬變現象。
為緩解該問題,DRV835xF 系列器件在響應故障事件而關閉 MOSFET 期間會減小高側和低側柵極驅動器的 IDRIVEN 下拉電流設置值。如果編程設定的 IDRIVEN 值小于 1100mA,則將 IDRIVEN 值設置為最小 IDRIVEN 設置值。如果編程的 IDRIVEN 值大于或等于 1100mA,則 IDRIVEN 值會減小七個代碼設置值。