ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在該模式下,相應的輸入引腳獨立控制每個高側和低側柵極驅動器。該控制模式允許外部控制器繞過 DRV835xF 的內部死區時間握手機制,或利用高側和低側驅動器通過每個半橋驅動單獨的高側和低側負載。這些類型的負載包括單向有刷直流電機、電磁閥以及低側和高側開關。在該模式下,如果系統設置為半橋配置,則當高側和低側 MOSFET 同時開啟時會發生擊穿。
| INLx | INHx | GLx | GHx |
|---|---|---|---|
| 0 | 0 | L | L |
| 0 | 1 | L | H |
| 1 | 0 | H | L |
| 1 | 1 | H | H |
高側和低側 VDS 過流監視器共享 SHx 檢測線,因此如果高側和低側柵極驅動器都在獨立運行,則無法同時使用這兩個監視器。
在這種情況下,應將 SHx 引腳連接到高側驅動器并禁用 VDS 過流監視器,如圖 8-7 所示。
圖 8-7 獨立的 PWM 高側和低側驅動器如果使用半橋僅實現高側或低側驅動器,則仍然可以使用 VDS 過流監視器。連接 SHx 引腳,如圖 8-8 或圖 8-9 所示。未使用的柵極驅動器和相應的輸入可以保持斷開狀態。
圖 8-8 單個高側驅動器
圖 8-9 單個低側驅動器