ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
可以通過監(jiān)測外部 MOSFET RDS(on) 上的 VDS 電壓降來檢測 MOSFET 過流事件。如果啟用的 MOSFET 上的電壓超過 VVDS_OCP 閾值的時間長于 tOCP_DEG 抗尖峰脈沖時間，則會識別出 VDS_OCP 事件并根據(jù) OCP_MODE 執(zhí)行操作。在硬件接口器件上，可以通過 VDS 引腳設(shè)置 VVDS_OCP 閾值，tOCP_DEG 固定為 4μs，OCP_MODE 配置為 8ms 自動重試，但可以通過將 VDS 引腳連接到 DVDD 將其禁用。在 SPI 器件上，可以通過 VDS_LVL SPI 寄存器設(shè)置 VVDS_OCP 閾值，通過 OCP_DEG SPI 寄存器設(shè)置 tOCP_DEG，而 OCP_MODE 位可以在四種不同的模式下運行：VDS 鎖存關(guān)斷、VDS 自動重試、VDS 僅報告以及 VDS 被禁用。
默認(rèn)情況下，MOSFET VDS 過流保護(hù)在逐周期 (CBC) 模式下運行。可以通過 SPI 寄存器在 SPI 器件型號上禁用該模式。在逐周期 (CBC) 模式下，PWM 輸入上的新上升沿將清除現(xiàn)有的過流故障。
此外，在 SPI 器件上，可以設(shè)置 OCP_ACT 寄存器設(shè)置值以更改鏈接和單獨關(guān)斷模式之間的 VDS_OCP 過流響應(yīng)。當(dāng) OCP_ACT 為 0 時，VDS_OCP 故障只會影響發(fā)生故障的半橋。當(dāng) OCP_ACT 為 1 時，全部三個半橋都將響應(yīng)任何其他半橋上的 VDS_OCP 故障。OCP_ACT 默認(rèn)為 0，單獨關(guān)斷模式。