ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
該示例的目標是將 VDS 監視器設置為在電流大于 75A 時跳變。根據 CSD19535KCS 100V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數據表,RDS(on) 值在 175°C 時會提高 2.2 倍,最大 RDS(on) 值在 TA = 25°C 時在 10V VGS 下為 3.6mΩ。根據這些值,RDS(on) 的最壞情況近似值為 2.2 × 3.6mΩ = 7.92mΩ。
使用Equation13,并使 RDS(on) 的值為 7.92mΩ,最壞情況下的電機電流為 75A,Equation14 展示了計算得出的 VDS 過流監視器的期望值。

在本例中,選擇 0.6V 作為 VDS_OCP 的值。
SPI 器件允許調整 VDS 過流監視器的抗尖峰脈沖時間。可以將抗尖峰脈沖時間設置為 1μs、2μs、4μs 或 8μs。