DRV8350F

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最大 102V 三相功能安全質(zhì)量管理型智能柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
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WQFN (RTV) 32 25 mm2 5 x 5
  • 9V 至 100V 三半橋柵極驅(qū)動器
    • 可選的三個低側(cè)電流分流放大器
  • 功能安全質(zhì)量管理型
    • 可提供有助于進行 IEC 61800-5-2 功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
  • 智能柵極驅(qū)動架構(gòu)
    • 可調(diào)壓擺率控制，可優(yōu)化 EMI 性能
    • VGS 握手和最小死區(qū)時間插入，可避免發(fā)生擊穿
    • 50mA 至 1A 峰值拉電流
    • 100mA 至 2A 峰值灌電流
    • 通過強下拉能力減小 dV/dt
  • 集成柵極驅(qū)動器電源
    • 高側(cè)倍增電荷泵可實現(xiàn) 100% PWM 占空比控制
    • 低側(cè)線性穩(wěn)壓器
  • 集成三個電流分流放大器
    • 可調(diào)增益（5、10、20、40 V/V）
    • 雙向或單向支持
  • 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
    • 支持 120° 有傳感器運行
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式（VVM = 48V 時為 20μA）
  • 集成保護特性
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 柵極驅(qū)動電源欠壓 (GDUV)
    • MOSFET VDS 過流保護 (OCP)
    • MOSFET 擊穿保護
    • 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)
    • 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
  • 9V 至 100V 三半橋柵極驅(qū)動器
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    • 可提供有助于進行 IEC 61800-5-2 功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
  • 智能柵極驅(qū)動架構(gòu)
    • 可調(diào)壓擺率控制，可優(yōu)化 EMI 性能
    • VGS 握手和最小死區(qū)時間插入，可避免發(fā)生擊穿
    • 50mA 至 1A 峰值拉電流
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  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式（VVM = 48V 時為 20μA）
  • 集成保護特性
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 柵極驅(qū)動電源欠壓 (GDUV)
    • MOSFET VDS 過流保護 (OCP)
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    • 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)
    • 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)

DRV835xF 系列器件均為高度集成的柵極驅(qū)動器，適用于三相無刷直流 (BLDC) 電機應(yīng)用。這些器件型號提供了可選的集成式分流放大器以支持不同的電機控制方案。

DRV835xF 通過采用智能柵極驅(qū)動 (SGD) 架構(gòu)減少了 MOSFET 壓擺率控制和保護電路通常所需要的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還可優(yōu)化死區(qū)時間以防止擊穿問題，在通過 MOSFET 壓擺率控制技術(shù)降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來了靈活性，并可通過 VGS 監(jiān)控器防止柵極短路問題。強大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵極開啟事件。

該系列器件支持各種 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和獨立模式），可簡化與外部控制器的連接。這些模式可減少電機驅(qū)動器 PWM 控制信號所需的控制器輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，因此可通過內(nèi)部阻塞換向表輕松對 BLDC 電機進行傳感器式梯形控制。

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DRV835xF 通過采用智能柵極驅(qū)動 (SGD) 架構(gòu)減少了 MOSFET 壓擺率控制和保護電路通常所需要的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還可優(yōu)化死區(qū)時間以防止擊穿問題，在通過 MOSFET 壓擺率控制技術(shù)降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來了靈活性，并可通過 VGS 監(jiān)控器防止柵極短路問題。強大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵極開啟事件。

該系列器件支持各種 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和獨立模式），可簡化與外部控制器的連接。這些模式可減少電機驅(qū)動器 PWM 控制信號所需的控制器輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，因此可通過內(nèi)部阻塞換向表輕松對 BLDC 電機進行傳感器式梯形控制。
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該模塊具有獨立的直流母線和相電壓感應(yīng)以及獨立式外部低側(cè)電流分流放大器，因此該評估模塊非常適合無傳感器 BLDC 算法。? 該模塊借助 12 V 0.35A 降壓穩(wěn)壓器為 MCU 提供 3.3V 和 5V 電源塊。? 可以在雙軌和單軌電源解決方案中配置該驅(qū)動器。該驅(qū)動級具有 IDRIVE 配置和故障引腳，還可以通過可配置硬件防止出現(xiàn)短路、過熱，擊穿和欠壓等狀況。該 EVM 具有完整的 USB 到 MCU 環(huán)境，可通過可用的梯形驅(qū)動器固件和 GUI 對 (...)

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BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RTV) 32 Ultra Librarian

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