ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
DRV7308 集成了 GaN FET 過流保護 (GaN_OCP)、過熱關斷 (OTSD)、GVDD 和自舉電源欠壓保護（GVDD_UVLO 和 VBOOT_UVLO）以及電流限制 (ILIMIT)。表 12-2 總結了各種故障詳細信息。
| 故障 | 條件 | 報告 | GaN 橋 | 恢復 |
|---|---|---|---|---|
| GaN 過流保護 (GaN_OCP)(1) | 低側 GaNFET 電流 > IOCP_GaN | nFAULT | 所有 GaN 前置驅動器關斷，從而出現高阻態（全部三個相位） | 鎖存。EN 引腳上的 20μs 至 40μs 開關脈沖或 GVDD 電源上電下電 |
| SLx 過流限制 (ILIMIT) | VSLx > VILIMIT | nFAULT | 所有 GaN 前置驅動器關斷，從而出現高阻態（全部三個相位） | 重試(2)。在故障清除時間 > tF_CLR 后 |
| GVDD 欠壓 | VGVDD < VGVDD_UV | nFAULT | 所有 GaN 前置驅動器關斷，從而出現高阻態（全部三個相位） | 自動： VGVDD > VGVDD_UVLO |
| BOOT 電源欠壓（BOOTx 和 OUTx 引腳之間的電壓） | VBOOTx < VBST_UV | - | 受影響的高側 GaN 前置驅動器關斷。所有其他 GaNFET 繼續運行。 | 自動： VBOOTx > VBST_UV |
| 熱關斷 (OTSD) | TJ > TSD，適用于任何低側 GaNFET | nFAULT | 所有 GaN 前置驅動器關斷，從而出現高阻態（全部三個相位） | 自動 TJ < TSD |
| TJ > TSD，適用于任何高側 GaNFET | 鎖存。EN 引腳上的 20μs 至 40μs 開關脈沖或 GVDD 電源上電下電 |