ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
該器件針對 GaNFET 的任何跨導提供全面保護。在半橋配置中,通過插入死區時間 (tDEAD) 來控制高側和低側 GaNFET 的運行,從而避免任何擊穿電流。使用自適應死區時間電路來實施此過程,該電路檢測低側 GaNFET 的柵源電壓 (VGS) 和同一半橋的相位節點 (OUTx) 電壓。