ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
DRV7308 器件包含以三相橋接配置連接的集成式 205mΩ（一個 GaN FET 導通狀態電阻）增強模式 GaN (eGaN) FET。該器件使用集成自舉控制器和使用 GVDD 引腳上的低壓外部電源的整流器，為低側和高側 GaN FET 集成了一個前置驅動器。正確使用外部自舉電容，可以在一定時間內支持實現 100% 占空比。