ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 絕對(duì)最大額定值
- 6 ESD 等級(jí)
- 7 建議運(yùn)行條件
- 8 熱性能信息
- 9 電氣特性
- 10時(shí)序圖
- 11典型特性
- 12詳細(xì)說(shuō)明
- 13應(yīng)用和實(shí)施
- 14布局
- 15修訂歷史記錄
- 16器件和文檔支持
- 17機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
12.4.4 GaNFET 過(guò)流保護(hù)
DRV7308 通過(guò)監(jiān)控 GaNFET 的 VDS，為每個(gè)和低側(cè) GaNFET 集成了過(guò)流保護(hù)。在任何時(shí)候，如果 GaNFET 電流超過(guò) IOCP_GaN，則通過(guò)關(guān)閉 GaNFET 前置驅(qū)動(dòng)器，可關(guān)閉所有集成 GaNFET 并鎖存，直至通過(guò) EN 引腳上的 20μs 至 40μs 開關(guān)脈沖或通過(guò) GVDD 上電下電來(lái)清除。通過(guò)將 nFAULT 引腳驅(qū)動(dòng)至低電平可報(bào)告過(guò)流事件。
圖 12-9 GaNFET 過(guò)流保護(hù)