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LM7481

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具有高柵極驅動、溫度范圍為 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器

產品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 350 Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 IGate source (typ) (μA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 350 Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 IGate source (typ) (μA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm2 3 x 3
  • 適用于擴展溫度范圍的應用
    • 器件溫度： -55°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 9.1mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行
  • 低反向檢測閾值 (–4mV)，能夠快速響應 (0.5μs)
  • 高達 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 集成 3.8mA 電荷泵
  • 可調節過壓保護
  • 2.87μA 低關斷電流（EN/UVLO = 低電平）
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
  • 適用于擴展溫度范圍的應用
    • 器件溫度： -55°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 9.1mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行
  • 低反向檢測閾值 (–4mV)，能夠快速響應 (0.5μs)
  • 高達 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 集成 3.8mA 電荷泵
  • 可調節過壓保護
  • 2.87μA 低關斷電流（EN/UVLO = 低電平）
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝

LM74810 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V至 65V的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 輸入供電系統。該器件可承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負載斷開（開/關控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。LM74810 采用線性穩壓和比較器方案實現反向電流阻斷。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM74810 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET，可以保護負載免受過壓瞬態（例如 24V 電池系統中未抑制的 200V 負載突降）的影響。

LM74810 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V至 65V的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 輸入供電系統。該器件可承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負載斷開（開/關控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。LM74810 采用線性穩壓和比較器方案實現反向電流阻斷。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM74810 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET，可以保護負載免受過壓瞬態（例如 24V 電池系統中未抑制的 200V 負載突降）的影響。
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* 數據表 LM7481 用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V 理想二極管控制器 數據表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 3月 8日

設計和開發

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評估板

LM74810EVM — LM7481-Q1 理想二極管控制器評估模塊

TI 的評估模塊 LM74810EVM 可幫助設計人員評估 LM7481-Q1 理想二極管控制器 (LM74810QDRR) 在反向電池保護應用中的運行情況和性能。此評估模塊演示 LM7481-Q1 理想二極管控制器為更高功率 (>100W) 汽車 ECU 設計提供反向電池保護的能力。該器件控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET，首先連接理想二極管 MOSFET，之后連接第二個 MOSFET 以實現開關輸出和電源路徑切斷。
用戶指南: PDF | HTML
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計算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
理想二極管/ORing 控制器
LM74502 — 具有負載斷開和高柵極驅動功能的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器 LM74502-Q1 — 汽車類反極性保護控制器，過壓保護，柵極驅動強度 60μA LM74502H — 具有負載斷開、OVP 和高柵極驅動功能的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器 LM74502H-Q1 — 汽車類反極性保護控制器，過壓保護，柵極驅動強度 11mA LM74720-Q1 — 具有有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 LM74721-Q1 — 具有有源整流功能的汽車類無 TVS、低 IQ 反向電池保護理想二極管控制器 LM74722-Q1 — 具有 200kHz 有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 LM7480 — 具有 -55°C 至 125°C 工作溫度范圍的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器 LM7480-Q1 — 用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車理想二極管控制器 LM7481 — 具有高柵極驅動、溫度范圍為 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器 LM7481-Q1 — 具有有源整流功能、可驅動 B2B NFET 的汽車類理想二極管控制器
高側開關控制器
TPS1200-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 45V 低 Iq 高側驅動器 TPS1210-Q1 — 具有短路保護和診斷功能的汽車級 45V 低 Iq 雙通道高側驅動器 TPS1211-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 3.5V 至 45V 高側驅動器 TPS1213-Q1 — 具有低功耗模式和可調節短路保護功能的汽車級 45V 低 Iq 高側驅動器 TPS1214-Q1 — 具有低 Iq、低功率、負載喚醒、I2t 和診斷功能的汽車級 74V 高側開關控制器 TPS4800-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 高側驅動器 TPS4810-Q1 — 具有短路保護和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 雙通道高側驅動器 TPS4811-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 3.5V 至 100V 高側驅動器 TPS4813-Q1 — 具有低功耗模式和可調節短路保護功能的汽車級 100V 低 IQ 高側驅動器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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WSON (DRR) 12 Ultra Librarian

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