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LM7480-Q1

正在供貨

用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車理想二極管控制器

產品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm2 3 x 3
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 在共漏極和共源極配置下，可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行 (LM74800-Q1)
  • 低反向檢測閾值 (–4.5mV)，能夠快速響應 (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 可調節過壓保護
  • 2.87μA 低關斷電流（EN/UVLO = 低電平）
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 在共漏極和共源極配置下，可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行 (LM74800-Q1)
  • 低反向檢測閾值 (–4.5mV)，能夠快速響應 (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
  • 可調節過壓保護
  • 2.87μA 低關斷電流（EN/UVLO = 低電平）
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝

LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負載斷開（開/關控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。LM7480-Q1 有兩種型號：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩壓和比較器方案來實現反向電流阻斷功能，而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET，可以保護負載免受過壓瞬態（例如 24V 電池系統中未抑制的 200V 負載突降）的影響。

LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負載斷開（開/關控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。LM7480-Q1 有兩種型號：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩壓和比較器方案來實現反向電流阻斷功能，而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET，可以保護負載免受過壓瞬態（例如 24V 電池系統中未抑制的 200V 負載突降）的影響。
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設計和開發

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評估板

LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二極管控制器評估模塊

TI 的評估模塊 LM74800EVM-CD 可幫助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極管控制器（LM74800QDRR 和 LM74801QDRR）在反向電池保護應用中的運行情況和性能。此評估模塊演示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET，首先連接理想二極管 MOSFET，之后連接第二個 MOSFET 以實現開關輸出和電源路徑切斷。

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評估板

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二極管控制器評估模塊

TI 的評估模塊 LM74800EVM-CD 可幫助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極管控制器（LM74800QDRR 和 LM74801QDRR）在反向電池保護應用中的運行情況和性能。此評估模塊演示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET，首先連接理想二極管 MOSFET，之后連接第二個 MOSFET 以實現開關輸出和電源路徑切斷。

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仿真模型

LM74800-Q1 PSPICE Transient Model

SLVMDB8.ZIP (145 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

LM74800-Q1 TINA-TI Common Drain Transient Model

SLVMDD0.TSC (407 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

LM74800-Q1 TINA-TI Common Source Transient Model

SLVMDD1.TSC (656 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
計算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
理想二極管/ORing 控制器
LM74502 — 具有負載斷開和高柵極驅動功能的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器 LM74502-Q1 — 汽車類反極性保護控制器，過壓保護，柵極驅動強度 60μA LM74502H — 具有負載斷開、OVP 和高柵極驅動功能的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器 LM74502H-Q1 — 汽車類反極性保護控制器，過壓保護，柵極驅動強度 11mA LM74720-Q1 — 具有有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 LM74721-Q1 — 具有有源整流功能的汽車類無 TVS、低 IQ 反向電池保護理想二極管控制器 LM74722-Q1 — 具有 200kHz 有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 LM7480 — 具有 -55°C 至 125°C 工作溫度范圍的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器 LM7480-Q1 — 用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車理想二極管控制器 LM7481 — 具有高柵極驅動、溫度范圍為 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器 LM7481-Q1 — 具有有源整流功能、可驅動 B2B NFET 的汽車類理想二極管控制器
高側開關控制器
TPS1200-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 45V 低 Iq 高側驅動器 TPS1210-Q1 — 具有短路保護和診斷功能的汽車級 45V 低 Iq 雙通道高側驅動器 TPS1211-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 3.5V 至 45V 高側驅動器 TPS1213-Q1 — 具有低功耗模式和可調節短路保護功能的汽車級 45V 低 Iq 高側驅動器 TPS1214-Q1 — 具有低 Iq、低功率、負載喚醒、I2t 和診斷功能的汽車級 74V 高側開關控制器 TPS4800-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 高側驅動器 TPS4810-Q1 — 具有短路保護和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 雙通道高側驅動器 TPS4811-Q1 — 具有保護和診斷功能的汽車級 3.5V 至 100V 高側驅動器 TPS4813-Q1 — 具有低功耗模式和可調節短路保護功能的汽車級 100V 低 IQ 高側驅動器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設計

TIDA-010240 — 可擴展的多智能電池包充電器參考設計

超過 100 瓦時 (Wh) 的鋰電池通常不允許放在隨身行李中，除非航空公司自行規定并需要事先批準。該參考設計是一種智能高效充電器設計，適用于高達 100Wh 的雙智能電池包（實際為采用并聯配置的 1 節至 5 節鋰離子電池）。
設計指南: PDF
參考設計

TIDA-010242 — MIL-STD-1275 浪涌保護參考設計

MIL-STD-1275E 標準提供了適用于軍用車輛設備的 28V 直流輸入電源這一全新特性。該標準描述了在軍用車輛運行期間發生的三個主要事件，必須保護連接至 28V 主電源的任何設備免受這三個事件的影響。這些事件包括反極性、電壓尖峰和電壓浪涌。要度過這些事件，請勿在反極性事件期間運行保護電路。在尖峰和浪涌事件期間，保護電路的輸出應為標稱值 28V、最大值 34V。此參考設計采用可處理最大 120W 輸出的兩級鉗位電路。通過實施兩級鉗位電路，該設計有助于降低物料清單 (BOM) 的總體成本并盡可能減小整體尺寸。
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參考設計

PMP23146 — 適用于服務器輔助電源且采用 GaN 的 45W 高功率密度有源鉗位反激式參考設計

這是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 (ACF) 參考設計，旨在實現更高的功率密度。此電源旨在為服務器和電信電源單元 (PSU) 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610 GaN 半橋用于使用 UCC24612 驅動具有同步整流功能的平面變壓器。該輔助電源旨在使用 PFC 總線電壓作為輸入電壓來運行，并生成能夠提供 3.7A 電流的隔離式 12V 輸出和能夠提供高達 400mA 電流的非隔離式 18V 輸出。主隔離式 12V 輸出受 TPS74800 ORing 控制器保護。多個 PMP23146 (...)
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
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  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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