計算工具
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
LM7480
- 適用于擴展溫度范圍的應用
- 器件溫度： -55°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護低至 –65V
- 在共漏極和共源極配置下，可驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調節下，理想二極管正常運行 (LM74800)
- 低反向檢測閾值 (–4.5mV)，能夠快速響應 (0.5μs)
- 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
- 可調節過壓保護
- 2.87μA 低關斷電流（EN/UVLO = 低電平）
- 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM7480 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 輸入供電系統。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負載斷開（開/關控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。LM7480 有兩種型號：LM74800 和 LM74801。LM74800 使用線性穩壓和比較器方案來實現反向電流阻斷功能，而 LM74801 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 ORing 設計。LM7480 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓撲中為器件配置外部 MOSFET，可以保護負載免受過壓瞬態（例如 24V 電池系統中的 200V 未抑制負載突降）的影響。
技術文檔
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查看全部 2 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | LM7480 用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V 理想二極管控制器 數據表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2021年 3月 8日 |
| 技術文章 | 使用理想二極管Ideal Diode 控制器驅動并聯 MOSFET | PDF | HTML | 2025年 5月 15日 |
設計和開發
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評估板
LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二極管控制器評估模塊
TI 的評估模塊 LM74800EVM-CD 可幫助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極管控制器（LM74800QDRR 和 LM74801QDRR）在反向電池保護應用中的運行情況和性能。此評估模塊演示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET，首先連接理想二極管 MOSFET，之后連接第二個 MOSFET 以實現開關輸出和電源路徑切斷。
評估板
LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二極管控制器評估模塊
TI 的評估模塊 LM74800EVM-CD 可幫助設計人員評估 LM7480-Q1 理想二極管控制器（LM74800QDRR 和 LM74801QDRR）在反向電池保護應用中的運行情況和性能。此評估模塊演示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET，首先連接理想二極管 MOSFET，之后連接第二個 MOSFET 以實現開關輸出和電源路徑切斷。
模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具
PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。
借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?
在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設計
PMP31365 — Industrial 24V to 5V safe power supply reference design
This reference design enables high-efficiency and low EMI. The design operates over a wide input voltage range reducing the need for external input surge protection. The design uses the LM686x5 buck converter which is intended for functional safety relevant applications. The design includes safety (...)
測試報告: PDF
參考設計
PMP22951 — 具有有源鉗位的 54V、3kW 相移全橋參考設計
該參考設計是一款基于 GaN 的 3kW 相移全橋 (PSFB) 轉換器。此設計在次級側使用了有源鉗位來最大限度地減小同步整流器 (SR) MOSFET 上的電壓應力，從而支持使用具有更優品質因數 (FOM) 的較低電壓等級 MOSFET。PMP22951 在初級側使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通過使用 TMS320F280049C 實時微控制器，可實現 PSFB 控制。PSFB 轉換器在 140kHz 開關頻率下運行，可在 385V 輸入下實現 97.45% 的峰值效率。
測試報告: PDF
參考設計
PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相圖騰柱功率因數校正和三相 LLC 參考設計
該參考設計為高密度、高效率的 8kW 電源。第一級是三角導通模式 (TCM) 功率因數校正 (PFC) 轉換器，后跟一個與 Δ-Δ 連接的三相電感器-電感器-電容器 (LLC) 轉換器。這兩個功率級均采用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關實現。該 PFC 在基于零電流檢測 (ZCD) 的控制機制中采用三相圖騰柱 PFC。該控制方法可以變頻運行，并在整體運行條件下保持零電壓開關 (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應晶體管 (FET) 來實現。轉換器的工作頻率范圍約介于 70kHz 和 (...)
測試報告: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。