主頁 電源管理 電源開關 理想二極管/ORing 控制器

LM74720-Q1

正在供貨

具有有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器

產品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET, External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET, External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.032 Iq (max) (mA) 0.038 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate sink (typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (typ) (A) 2.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -6.5 Design support EVM VGS (max) (V) 13 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.0035 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm2 3 x 3
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
    • 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 低靜態電流:運行時 35 μA(最大值)
  • 3.3 μA(最大值)低關斷電流(EN = 低電平)
  • 17 mV 陽極至陰極正向壓降調節下,理想二極管正常運行
  • 驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 集成型 29 mA 升壓穩壓器
  • 快速響應反向電流阻斷:0.5 μs
  • 高達 100 kHz 的有源整流
  • 可調節過壓保護
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
  • LM74721-Q1 引腳對引腳兼容
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
    • 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護低至 –65V
  • 低靜態電流:運行時 35 μA(最大值)
  • 3.3 μA(最大值)低關斷電流(EN = 低電平)
  • 17 mV 陽極至陰極正向壓降調節下,理想二極管正常運行
  • 驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 集成型 29 mA 升壓穩壓器
  • 快速響應反向電流阻斷:0.5 μs
  • 高達 100 kHz 的有源整流
  • 可調節過壓保護
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態要求
  • 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
  • LM74721-Q1 引腳對引腳兼容

LM74720-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。具有快速導通和關斷比較器的強大升壓穩壓器可確保在汽車測試(如 ISO16750 或 LV124)期間實現穩健、高效的 MOSFET 開關性能,期間 ECU 會收到輸入短時中斷以及頻率高達 100 kHz 的交流疊加輸入信號。運行期間的低靜態電流 35 µA(最大值)可實現常開型系統設計。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許使用 EN 引腳實現負載斷開控制。在 EN 處于低電平時,靜態電流降至 3.3 µA(最大值)。該器件具有可調節過壓切斷保護功能,可提供負載突降保護。

LM74720-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。具有快速導通和關斷比較器的強大升壓穩壓器可確保在汽車測試(如 ISO16750 或 LV124)期間實現穩健、高效的 MOSFET 開關性能,期間 ECU 會收到輸入短時中斷以及頻率高達 100 kHz 的交流疊加輸入信號。運行期間的低靜態電流 35 µA(最大值)可實現常開型系統設計。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許使用 EN 引腳實現負載斷開控制。在 EN 處于低電平時,靜態電流降至 3.3 µA(最大值)。該器件具有可調節過壓切斷保護功能,可提供負載突降保護。

下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

您可能感興趣的相似產品

open-in-new 比較替代產品
功能與比較器件相同,但引腳排列有所不同
LM74722-Q1 正在供貨 具有 200kHz 有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 Ideal diode controller with 200kHz active rectification (ACS).

技術文檔

star =有關此產品的 TI 精選熱門文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 8
類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 LM74720-Q1 具有有源整流和負載突降保護功能的低 IQ 汽車類理想二極管控制器 數據表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 5月 12日
功能安全信息 LM74720-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2025年 5月 27日
產品概述 Mobileye EyeQ?6H - 分立式電源樹 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 11月 8日
應用簡報 汽車 ECU 設計中的有源整流及其優勢 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
應用手冊 理想二極管基礎知識 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 5月 26日
技術文章 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio PDF | HTML 2021年 11月 18日
用戶指南 LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers PDF | HTML 2021年 9月 15日
模擬設計期刊 使用理想二極管控制器實現符合汽車EMC 標準的反向電池保護 英語版 2020年 12月 2日

設計和開發

如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。

評估板

LM7472EVM — 理想二極管控制器采用 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 評估模塊

TI 的評估模塊 LM7472EVM 可幫助設計人員評估 LM74720-Q1 和 LM74722-Q1 理想二極管控制器在反向電池保護應用中的運行情況和性能。LM7472x-Q1 具有低 IQ,通過集成的升壓穩壓器可實現快速瞬態響應。本評估模塊演示了 LM7472x-Q1 如何通過連接理想二極管 MOSFET、使用另一個 MOSFET 實現開關輸出和電源路徑切斷來控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET。

用戶指南: PDF | HTML
TI.com 上無現貨
仿真模型

LM7472x-Q1 PSpice Transient Model

SLVMDO2.ZIP (84 KB) - PSpice Model
計算工具

FET-INRUSH-SOA-CALC FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
理想二極管/ORing 控制器
LM74502 具有負載斷開和高柵極驅動功能的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器 LM74502-Q1 汽車類反極性保護控制器,過壓保護,柵極驅動強度 60μA LM74502H 具有負載斷開、OVP 和高柵極驅動功能的 3.2V 至 65V 工業 RPP 控制器 LM74502H-Q1 汽車類反極性保護控制器,過壓保護,柵極驅動強度 11mA LM74720-Q1 具有有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 LM74721-Q1 具有有源整流功能的汽車類無 TVS、低 IQ 反向電池保護理想二極管控制器 LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 LM7480 具有 -55°C 至 125°C 工作溫度范圍的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器 LM7480-Q1 用于驅動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車理想二極管控制器 LM7481 具有高柵極驅動、溫度范圍為 -55°C 至 125°C 的 3V 至 65V 背對背 NFET 理想二極管控制器 LM7481-Q1 具有有源整流功能、可驅動 B2B NFET 的汽車類理想二極管控制器
高側開關控制器
TPS1200-Q1 具有保護和診斷功能的汽車級 45V 低 Iq 高側驅動器 TPS1210-Q1 具有短路保護和診斷功能的汽車級 45V 低 Iq 雙通道高側驅動器 TPS1211-Q1 具有保護和診斷功能的汽車級 3.5V 至 45V 高側驅動器 TPS1213-Q1 具有低功耗模式和可調節短路保護功能的汽車級 45V 低 Iq 高側驅動器 TPS1214-Q1 具有低 Iq、低功率、負載喚醒、I2t 和診斷功能的汽車級 74V 高側開關控制器 TPS4800-Q1 具有保護和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 高側驅動器 TPS4810-Q1 具有短路保護和診斷功能的汽車級 100V 低 Iq 雙通道高側驅動器 TPS4811-Q1 具有保護和診斷功能的汽車級 3.5V 至 100V 高側驅動器 TPS4813-Q1 具有低功耗模式和可調節短路保護功能的汽車級 100V 低 IQ 高側驅動器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業內超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻