LM74722-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性
- 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護低至 –65V
- 低靜態電流:運行時 35μA(最大值)
- 3.3μA(最大值)低關斷電流(EN = 低電平)
- 13mV 陽極至陰極正向壓降調節下,理想二極管正常運行
- 驅動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 集成型 30mA 升壓穩壓器
- 高達 200 kHz 的有源整流
- 快速響應反向電流阻斷:0.5μs
- 快速正向 GATE 導通延遲:0.72μs
- 可調節過壓保護
- 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態要求
- 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,實現反向輸入保護和輸出電壓保持功能。具有快速導通和關斷比較器的強大升壓穩壓器可確保在汽車測試(如 ISO16750 或 LV124)期間實現穩健、高效的 MOSFET 開關性能,期間 ECU 會收到輸入短時中斷以及頻率高達 200kHz 的交流疊加輸入信號。運行期間的低靜態電流 35µA(最大值)可實現常開型系統設計。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許使用 EN 引腳實現負載斷開控制。在 EN 處于低電平時,靜態電流降至 3.3µA(最大值)。該器件具有可調節過壓切斷保護或使用 OV 引腳的過壓鉗位保護。
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查看全部 6 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | LM74722-Q1 具有 200kHz 有源整流和負載突降保護功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器 數據表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 8月 8日 |
| 應用簡報 | 汽車 ECU 設計中的有源整流及其優勢 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2022年 11月 14日 | |
| 應用手冊 | 理想二極管基礎知識 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 5月 26日 | |
| 技術文章 | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 2021年 11月 18日 | |||
| 用戶指南 | LM7472EVM: Evaluation Module for LM74720-Q1 & LM74722-Q1 Ideal Diode Controllers | PDF | HTML | 2021年 9月 15日 | |||
| 模擬設計期刊 | 使用理想二極管控制器實現符合汽車EMC 標準的反向電池保護 | 英語版 | 2020年 12月 2日 |
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