ZHCY146A April 2021 – December 2023 LM25149 , LM25149-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157-Q1 , LM53635-Q1 , LM60440-Q1 , LM61460-Q1 , LM61495-Q1 , LMQ62440-Q1 , LMR33630-Q1 , LMS3655-Q1 , TPS55165-Q1 , UCC12040 , UCC12050
集成式輸入旁路電容器
如前所述，由于更高的開關節點振鈴，較大的輸入電源環路會導致在高頻頻帶上產生更高的發射。在器件封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于更大程度地降低輸入環路寄生效應，從而降低 EMI。降壓轉換器 LMQ62440-Q1 中采用了該技術，如下一頁上的圖 20 所示。除了減小輸入電源環路電感之外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使該解決方案不易受終端系統電路板布局布線變化的影響。
圖 19 增強型 HotRod QFN 封裝器件中的引腳排列和 PCB 布局布線。由于開關節點振鈴增加而導致的頻帶。在器件封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于更大程度地降低輸入環路寄生效應，從而降低 EMI。降壓轉換器 LMQ62440-Q1 中采用了該技術，如圖 21 所示。除了減小輸入電源環路電感之外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使該解決方案不易受終端系統電路板布局布線變化的影響。
圖 20 HotRod 封裝器件與 Enhanced HotRod 封裝器件的 SW 節點 FFT 對比。
圖 21 LMQ62440-Q1 器件中集成的兩個高頻輸入旁路電容器。圖 22 比較了 LMQ62440-Q1 在集成和未集成旁路電容器情況下的輻射 EMI（在相同電路板、相同條件下）。結果表明，更嚴格的電視頻帶（200MHz 至 230MHz）中的發射降低了 9dB，這有助于系統保持在行業標準規定的 EMI 限制范圍內，而無需在板上添加額外的元件。