消除繞組

與非隔離式轉換器不同，跨越隔離邊界的額外發射路徑是導致隔離式轉換器共模 (CM) EMI 的主要原因。下一頁上的圖 15 展示了標準反激式轉換器中的隔離變壓器存在寄生電容。CM 電流可通過與每個開關節點關聯的寄生電容從初級側直接流入大地。CM 電流還由于繞組之間的寄生電容而從初級側流至次級側，從而導致測量的 CM EMI 增大。通常，您可以通過在輸入電源路徑中使用較大的 CM 扼流圈來降低這種額外的干擾。

為了幫助更大程度地減小無源濾波器件的尺寸，用于高功率密度 5V 至 20V 交流/直流適配器且采用硅 FET 的 65W 有源鉗位反激式參考設計針對隔離式轉換器采用了消除繞組和屏蔽的方法。如圖 16 所示，一種經改進的內部變壓器結構在內部初級層和次級層之間插入了一個額外的輔助繞組層（以黑色顯示），以實現 CM 平衡。輔助 CM 平衡層屏蔽了內部的半初級層與次級層之間的界面，有助于生成消除 CM 電壓，以消除來自外部半初級層的 CM 注入。通過均衡從輔助繞組和初級外層到次級層的寄生電容，可幫助消除從外部半初級層注入到次級層的 CM 電流（通過從消除層注入反相 CM 電流）。凈效應（流入次級層的 CM 電流幾乎為零）降低了 CM 發射，從而使用超少的 CM 濾波器件即可讓設計滿足 EMI 頻譜標準要求。