有效的壓擺率控制

盡管有上述技術(shù)，但在某些設(shè)計(jì)中，高頻 EMI（60MHz 至 250MHz）可能仍會(huì)超出指定的標(biāo)準(zhǔn)限制。緩解和提高裕度以滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求的一種方法是，使用一個(gè)電阻器與開關(guān)轉(zhuǎn)換器的自舉電容器串聯(lián)。使用電阻器可以降低開關(guān)邊沿的壓擺率，從而降低 EMI，但也會(huì)降低效率。

LM61440-Q1 和 LM62440-Q1 等開關(guān)轉(zhuǎn)換器可以在開啟期間使用電阻器來選擇高側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度。如圖 23 所示，通過 RBOOT 引腳（青色虛線環(huán)路）消耗的電流成倍增加并通過 CBOOT（紅色虛線）消耗，以開啟高側(cè)功率 MOSFET。這樣，該電阻器就可以控制壓擺率，但不會(huì)遭受串聯(lián)啟動(dòng)電阻器消耗大部分電流時(shí)發(fā)生的效率損失。RBOOT 與 CBOOT 發(fā)生短路時(shí)，上升時(shí)間很短；直到高于 150MHz 時(shí)，開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波才會(huì)滾降。如果 CBOOT 和 RBOOT 通過 700Ω 的電阻器保持連接，則在將 13.5V 轉(zhuǎn)換為 5V 時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間增加到 10ns。該較長(zhǎng)的上升時(shí)間使開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波中的能量在大多數(shù)情況下都能在 50MHz 附近滾降。