ZHCY146A April 2021 – December 2023 LM25149 , LM25149-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157-Q1 , LM53635-Q1 , LM60440-Q1 , LM61460-Q1 , LM61495-Q1 , LMQ62440-Q1 , LMR33630-Q1 , LMS3655-Q1 , TPS55165-Q1 , UCC12040 , UCC12050
有效的壓擺率控制
盡管有上述技術，但在某些設計中，高頻 EMI（60MHz 至 250MHz）可能仍會超出指定的標準限制。緩解和提高裕度以滿足行業標準要求的一種方法是，使用一個電阻器與開關轉換器的自舉電容器串聯。使用電阻器可以降低開關邊沿的壓擺率，從而降低 EMI，但也會降低效率。
LM61440-Q1 和 LM62440-Q1 等開關轉換器可以在開啟期間使用電阻器來選擇高側 FET 驅動器的強度。如圖 23 所示，通過 RBOOT 引腳（青色虛線環路）消耗的電流成倍增加并通過 CBOOT（紅色虛線）消耗，以開啟高側功率 MOSFET。這樣，該電阻器就可以控制壓擺率，但不會遭受串聯啟動電阻器消耗大部分電流時發生的效率損失。RBOOT 與 CBOOT 發生短路時，上升時間很短；直到高于 150MHz 時，開關節點諧波才會滾降。如果 CBOOT 和 RBOOT 通過 700Ω 的電阻器保持連接，則在將 13.5V 轉換為 5V 時，轉換時間增加到 10ns。該較長的上升時間使開關節點諧波中的能量在大多數情況下都能在 50MHz 附近滾降。
圖 22 未集成和集成旁路電容器時 LMQ62440-Q1 器件的輻射 EMI 性能。
圖 23 LM62440 中的有效壓擺率控制實現 (a)；采用有效壓擺率控制的開關節點振鈴降低 (b)。