2 設計注意事項

在雙向直流/直流應用中，此設計中的一些考慮因素有助于減小自舉二極管上的應力，以及減輕對自舉二極管可能造成的損壞。

首先，適當確定自舉電容器的容值對于正確驅動功率 MOSFET 而言非常重要，此外，也會使 HB-HS 偏置以極快的速度啟動。在這些應用中，我們建議不要使自舉電容過大。

還有其他設計注意事項可以解決如下所示的柵極驅動器和自舉啟動問題：

1. 在未主動供電的相位上包含低頻 LO 脈沖。這可確保 HB-HS 偏置在啟用相位之前完全預充電。
2. 確保當啟用一個相位時，第一個初始 LO 脈沖是一個長脈沖，足以在自舉二極管正向電流變為零或接近于零的情況下為自舉電容器充電。在正常 HI 和 LI 脈寬期間隨機啟用相位會導致 LI 初始脈寬短，從而導致高正向電流在自舉二極管中流動，然后當 HS 變為高電平時，反向恢復電流會更高。
3. 添加一個與驅動器內部自舉二極管并聯的外部肖特基二極管。使用一個小型封裝二極管以允許靠近具有低 V_F 和低 R_DYN 的 IC VDD 和 HB 引腳放置。