5 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

緩解內(nèi)部自舉二極管上可能出現(xiàn)的過(guò)應(yīng)力的方法與前述多相啟動(dòng)問(wèn)題的相同。確定驅(qū)動(dòng)高側(cè) MOSFET 所需的自舉電容，但不要使電容值過(guò)大。考慮使用之前討論的相同參數(shù)建議為外部自舉二極管提供配置。為這些應(yīng)用選擇驅(qū)動(dòng)器非常重要，例如 LM5101(A)、UCC2720x(A)、UCC27211A、UCC27301A 或 UCC27311A。此外，如果可以增加低側(cè) MOSFET 關(guān)斷和高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通之間的死區(qū)時(shí)間，則可以使自舉二極管電流在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上升之前降低到較低水平。

圖 5-1 功率 MOSFET 體二極管示例 V_F 與 I_F 間的關(guān)系