UCC5870-Q1 器件是一款 TI 功能安全合規型隔離式單通道柵極驅動器，旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1kVRMS 的工作電壓，隔離柵壽命超過 40 年，并提供低器件間偏移和大于 100V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。

UCC5870-Q1 是一款受平臺支持的器件。憑借 SPI 可編程消隱時間、抗尖峰脈沖、閾值、功能使能和故障處理的靈活性，UCC5870-Q1 能夠支持各種不同應用中使用的 IGBT 或 SiC 功率晶體管。UCC5870-Q1 集成了大多數牽引逆變器應用所需的所有保護特性。此外，15A 柵極驅動能力消除了對外部升壓電路的需求，從而減小了整體解決方案的尺寸。集成式米勒鉗位電路可在瞬態事件期間使柵極保持關斷狀態，并可配置為使用內部 4A 下拉電流或驅動外部 n 溝道 MOSFET。UCC5870-Q1 集成了功率晶體管的所有保護特性，它支持 DESAT 和基于電阻器的過流保護；內置了負溫度系數功率晶體管溫度傳感器監測器，用于向主機發出警報并防止因開關中的過熱情況而造成損壞；集成了一個基于齊納擊穿的鉗位功能來減少柵極驅動，從而減少由于電感反沖而在關斷期間出現過壓尖峰時的過沖能量；集成了實時柵極監測功能，可確保與功率晶體管正確連接，并向主機發出柵極驅動器路徑故障警報。

UCC5870-Q1 內置一個 10 位 ADC，用于提供有關開關管溫度、柵極驅動器溫度或必須在柵極驅動器次級（高壓）側監測的任何電壓的信息。有六個輸入 (AIX) 可用于使用 ADC 測量電壓。這樣可以方便地獲取有關直流鏈路電壓的信息，或在運行期間測量功率晶體管的 VCE/VDS 電壓。ADC 采用“中心模式”運行以確保低噪聲測量，也可以在傳統的“邊沿模式”下使用，以在 PWM 周期內實現盡可能多的測量。除了通過 SPI 讀回 ADC 信息外，DOUT 功能還提供一個反饋信號，即可以在初級側實時監控、由用戶選擇的一個 AIx 電壓。

UCC5870-Q1 集成了許多安全診斷功能，使設計人員能夠更輕松地實施 ASIL 等級系統。這款柵極驅動器 IC 本身具有針對所有保護特性的診斷功能以及針對電路的潛在故障檢測功能。使用開漏輸出指示故障，使用 SPI 回讀可以輕松確定具體故障。除了所有安全診斷功能外，該 IC 還集成了初級側和次級側“主動短路”電路，為系統設計人員提供了一條次級路徑，用于在電機控制器失效情形中控制牽引逆變器的零矢量狀態。