ZHCAB45 June 2021 DRV3255-Q1 , DRV8300 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8340-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350F , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353F , DRV8353R
如前所述，MOSFET 的漏極和柵極電流是向電機(jī)供電的基石。為了提供電流并打開 FET，必須在 MOSFET 的本征柵極電容器上積累電荷。此過程在 MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理 和了解智能柵極驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用手冊中進(jìn)行了更詳細(xì)的解釋。
因此，將柵極電荷或電流的速率與 FET 漏極至源極電壓上升聯(lián)系起來，如理想的一階Equation1 所示：
其中：
根據(jù)Equation1，高 IDRIVE 和小 Qgd 會(huì)導(dǎo)致非常快的壓擺率，因?yàn)?VDRAIN 在系統(tǒng)中通常是固定的，除非系統(tǒng)電源電壓專門設(shè)計(jì)為可變電壓。高壓擺率會(huì)降低 MOSFET 中的開關(guān)損耗，因此使壓擺率盡可能高似乎是有益的。但是，大多數(shù)設(shè)計(jì)人員試圖使用更高的壓擺率，卻沒有意識到使用超出設(shè)計(jì)值太多的壓擺率會(huì)產(chǎn)生不利影響。