ZHCAB45 June 2021 DRV3255-Q1 , DRV8300 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8340-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350F , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353F , DRV8353R
為了增加半橋電路的電流傳導(dǎo)能力,通常通過(guò)將 MOSFET 的漏極、源極和柵極連接在一起來(lái)并聯(lián)多個(gè) MOSFET。從理論上講,要將上述多個(gè)并聯(lián) MOSFET 視為一個(gè)元件。
實(shí)際上,沒(méi)有兩個(gè) MOSFET 是完全相同的。這意味著,一個(gè) MOSFET 最終會(huì)先導(dǎo)通,一個(gè) MOSFET 會(huì)承載更多電流。盡可能減小這種差異對(duì)于系統(tǒng)運(yùn)行至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)并聯(lián) MOSFET 應(yīng)用簡(jiǎn)介中介紹了并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)背后的理論和流程。
下面總結(jié)了一些注意事項(xiàng):