ZHCAB45 June 2021 DRV3255-Q1 , DRV8300 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8340-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350F , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353F , DRV8353R
遺憾的是，在大功率系統(tǒng)中存在高壓擺率的不利影響。隨著更多電流流經(jīng) FET 和 VDS 電壓以更快的速度進行轉(zhuǎn)換，MOSFET 的固有電容耦合以及寄生 LC 諧振的影響會增加。
如圖 3-1 所示，柵極信號上升沿的高頻分量（更重要的是，穿過米勒區(qū)域的上升 VDS 信號）會導致電流流到另一個 FET 的本征電容器上。該信號通過固有的柵極至漏極或柵極至源極電容器耦合，因為電容器在較高頻率下具有較低的阻抗。如果這些耦合信號足夠高，它們可能會超過電機驅(qū)動器的絕對最大額定值，或者打開一相內(nèi)的低側(cè)和高側(cè) FET，從而在電流繞過電機并從 VDRAIN 到 GND 流過直接路徑時導致發(fā)生擊穿。
由于 CGD 耦合，MOSFET 在導通之前具有最大壓擺率限制。這意味著如果壓擺率太高，即使柵極直接短接至源極，MOSFET 也會導通。在考慮柵極驅(qū)動器下拉強度和柵極路徑上的寄生電感時，這會在導致意外導通之前降低可能的最大壓擺率。
簡單地說，柵極電流越大，耦合越多，而柵極電流越小，則耦合越少。
重申一下：
既然了解了柵極電流過多產(chǎn)生的影響，就必須開發(fā)調(diào)整柵極電流的方法，并且必須推導出給定系統(tǒng)的柵極電流計算法。