ZHCSUV2A April 2024 – October 2024 UCC27614-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
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機械數據 (封裝 | 引腳)
- D|8
- DGN|8
- DSG|8
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.3.4 輸出級
UCC27614-Q1 器件的輸出級如“UCC27614-Q1 柵極驅動器輸出”部分所示。UCC27614-Q1 器件的輸出級上具有獨特的架構，從而能夠在電源開關導通轉換的米勒平坦區期間最需要時（此時電源開關漏極/集電極電壓經歷 dV/dt）提供最高的峰值拉電流。器件輸出級具有混合上拉結構，該結構使用 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 器件并行排列。通過在輸出狀態從低電平變為高電平的短暫片刻期間導通 N 溝道 MOSFET，柵極驅動器器件能夠短暫增大峰值拉電流，從而實現快速導通。該 N 溝道 MOSFET 的導通電阻 (RNMOS) 在激活時約為 0.52Ω。
圖 6-4 UCC27614-Q1 柵極驅動器輸出級ROH 參數（請參閱“電氣特性”表）是一項直流測量，僅表示 P 溝道器件的導通電阻，因為 N 溝道器件僅在輸出狀態從低電平變為高電平期間導通。因此，混合上拉級的有效電阻遠低于 ROH 參數表示的有效電阻。下拉結構僅包含 N 溝道 MOSFET。ROL 也是一項直流測量，表示器件中下拉級的真實阻抗。
UCC27614-Q1 可以在 VDD = 12V 時提供 10A 拉電流和高達 10A 的灌電流。強大的灌電流能力導致驅動器輸出級的下拉阻抗非常低，從而提高了抗寄生米勒導通（高壓擺率 dV/dt 導通）效應的能力，這種現象常見于 IGBT 和 FET 電源開關。
需要關注米勒導通效應問題的一個示例是同步整流 (SR)。在 SR 應用中，當 MOSFET 已經由柵極驅動器保持在關閉狀態時，MOSFET 漏極上會發生 dV/dt。在該高 dV/dt 由驅動器的下拉級進行分流期間，電流會使 CGD 米勒電容放電。如果下拉阻抗不夠低，那么電壓尖峰可能會導致 MOSFET 的 VGS，從而導致雜散導通。圖 6-5 中展示了該現象。
圖 6-5 UCC27614-Q1 中的低下拉阻抗（輸出級可減輕米勒導通效應）由于輸出級具有低壓降，因此驅動器的輸出電壓在 VDD 和 GND 之間擺動，實現了軌到軌運行。在大多數應用中，無需使用外部肖特基二極管鉗位，因為 MOSFET 體二極管的存在可為開關過沖和下沖提供低阻抗。UCC27614-Q1 器件的輸出級可以處理較大的瞬態反向電流。器件的兩個 OUT 引腳應該在應用板上短接。在 MOSFET 或 IGBT 的柵極處，應用可以使用電阻器和并聯二極管電阻器組合來設定不同的上升（上拉電流）時間和下降（下拉電流）時間。