ZHCSUV2A April 2024 – October 2024 UCC27614-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
UCC27614-Q1 器件的輸出級(jí)如“UCC27614-Q1 柵極驅(qū)動(dòng)器輸出”部分所示。UCC27614-Q1 器件的輸出級(jí)上具有獨(dú)特的架構(gòu),從而能夠在電源開(kāi)關(guān)導(dǎo)通轉(zhuǎn)換的米勒平坦區(qū)期間最需要時(shí)(此時(shí)電源開(kāi)關(guān)漏極/集電極電壓經(jīng)歷 dV/dt)提供最高的峰值拉電流。器件輸出級(jí)具有混合上拉結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)使用 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 器件并行排列。通過(guò)在輸出狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖降亩虝浩唐陂g導(dǎo)通 N 溝道 MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠短暫增大峰值拉電流,從而實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。該 N 溝道 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RNMOS) 在激活時(shí)約為 0.52Ω。
圖 6-4 UCC27614-Q1 柵極驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)ROH 參數(shù)(請(qǐng)參閱“電氣特性”表)是一項(xiàng)直流測(cè)量,僅表示 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻,因?yàn)?N 溝道器件僅在輸出狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖狡陂g導(dǎo)通。因此,混合上拉級(jí)的有效電阻遠(yuǎn)低于 ROH 參數(shù)表示的有效電阻。下拉結(jié)構(gòu)僅包含 N 溝道 MOSFET。ROL 也是一項(xiàng)直流測(cè)量,表示器件中下拉級(jí)的真實(shí)阻抗。
UCC27614-Q1 可以在 VDD = 12V 時(shí)提供 10A 拉電流和高達(dá) 10A 的灌電流。強(qiáng)大的灌電流能力導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)的下拉阻抗非常低,從而提高了抗寄生米勒導(dǎo)通(高壓擺率 dV/dt 導(dǎo)通)效應(yīng)的能力,這種現(xiàn)象常見(jiàn)于 IGBT 和 FET 電源開(kāi)關(guān)。
需要關(guān)注米勒導(dǎo)通效應(yīng)問(wèn)題的一個(gè)示例是同步整流 (SR)。在 SR 應(yīng)用中,當(dāng) MOSFET 已經(jīng)由柵極驅(qū)動(dòng)器保持在關(guān)閉狀態(tài)時(shí),MOSFET 漏極上會(huì)發(fā)生 dV/dt。在該高 dV/dt 由驅(qū)動(dòng)器的下拉級(jí)進(jìn)行分流期間,電流會(huì)使 CGD 米勒電容放電。如果下拉阻抗不夠低,那么電壓尖峰可能會(huì)導(dǎo)致 MOSFET 的 VGS,從而導(dǎo)致雜散導(dǎo)通。圖 6-5 中展示了該現(xiàn)象。
圖 6-5 UCC27614-Q1 中的低下拉阻抗(輸出級(jí)可減輕米勒導(dǎo)通效應(yīng))由于輸出級(jí)具有低壓降,因此驅(qū)動(dòng)器的輸出電壓在 VDD 和 GND 之間擺動(dòng),實(shí)現(xiàn)了軌到軌運(yùn)行。在大多數(shù)應(yīng)用中,無(wú)需使用外部肖特基二極管鉗位,因?yàn)?MOSFET 體二極管的存在可為開(kāi)關(guān)過(guò)沖和下沖提供低阻抗。UCC27614-Q1 器件的輸出級(jí)可以處理較大的瞬態(tài)反向電流。器件的兩個(gè) OUT 引腳應(yīng)該在應(yīng)用板上短接。在 MOSFET 或 IGBT 的柵極處,應(yīng)用可以使用電阻器和并聯(lián)二極管電阻器組合來(lái)設(shè)定不同的上升(上拉電流)時(shí)間和下降(下拉電流)時(shí)間。