ZHCSEX6E December 2015 – June 2025 TPS4H160-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購信息
7.3.4 電感負(fù)載關(guān)斷鉗位
斷開電感負(fù)載時(shí)，電感電抗會(huì)導(dǎo)致輸出電壓趨于負(fù)值。過高的負(fù)電壓可能導(dǎo)致功率 FET 損壞。為了保護(hù)功率 FET，器件在漏極和源極之間實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部鉗位功能，即 VDS(clamp)。
在消磁期間 (tdecay)，功率 FET 導(dǎo)通以進(jìn)行電感能量耗散?？偰芰吭诟邆?cè)開關(guān)中耗散?？偰芰堪娫吹哪芰?(E(VS)) 和負(fù)載的能量 (E(load))。如果電阻與電感串聯(lián)，則部分負(fù)載能量會(huì)在電阻中耗散。
當(dāng)電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)，E(HSS) 會(huì)在器件上引起高熱應(yīng)力。功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板耗散條件。
圖 7-5 漏源鉗位結(jié)構(gòu)
圖 7-6 電感負(fù)載關(guān)斷圖從高側(cè)開關(guān)的角度來看，E(HSS) 等于消磁期間的積分值。
當(dāng) R 大概等于 0 時(shí)，E(HSD) 可以簡單地表示為：
圖 7-7 是器件驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載的波形，圖 7-8 是具有展開時(shí)間刻度的波形。通道 1 是輸入信號(hào)，通道 2 是電源電壓 VVS，通道 3 是輸出電壓 VOUT，通道 4 是輸出電流 IOUT，通道 M 是測得的功率耗散 E(HSS)。
在波形中，VOUT 從 VVS 到 (VVS – VDS(clamp)) 的持續(xù)時(shí)間大約為 120μs。當(dāng)鉗位處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，該器件還會(huì)優(yōu)化關(guān)斷轉(zhuǎn)換率。這種優(yōu)化可以通過將瞬態(tài)功率和 EMI 的影響保持在最低水平，來幫助進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。如 圖 7-7 和 圖 7-8 所示，受控轉(zhuǎn)換率約為 0.5V/μs。
圖 7-7 電阻負(fù)載關(guān)斷波形
圖 7-8 電阻負(fù)載關(guān)斷展開波形請(qǐng)注意，對(duì)于 PWM 控制的電感負(fù)載，建議添加如圖 7-9 所示的外部續(xù)流電路，以保護(hù)器件免受重復(fù)性功率應(yīng)力的影響。TVS 用于實(shí)現(xiàn)快速衰減。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱圖 7-9。
圖 7-9 通過外部電路提供保護(hù)