ZHCSRN8 February 2023 TDC1000-Q1
PRODUCTION DATA
TDC1000-Q1 的模擬電路設計為由介于 2.7V 和 5.5V 之間的輸入電源電壓供電。TI 建議在盡可能靠近 VDD 引腳的位置放置一個 100nF 的接地陶瓷旁路電容器。此外,建議使用容值大于 1μF 的電解電容器或鉭電容器。大容量電容器不需要靠近 TDC1000-Q1,可以靠近電壓源端子或位于為 TDC1000-Q1 供電的穩壓器的輸出端。
TDC1000-Q1 的 IO 電路設計為由介于 1.8V 和 5.5V 之間的輸入電源電壓供電。IO 電源電壓 (VIO) 可以低于模擬電壓電源 (VDD),但 IO 電壓不應超過模擬電壓。TI 還建議在盡可能靠近 VIO 引腳的位置放置一個 100nF 的接地陶瓷旁路電容器。如果為 VIO 使用單獨的電源或穩壓器,則建議使用一個容值大于 1μF 的附加電解電容器或鉭電容器。
在某些情況下,額外的 10μF 旁路電容器可能會進一步降低電源噪聲。