ZHCSFZ7C February 2017 – February 2023 PGA460-Q1
PRODUCTION DATA
互補(bǔ)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可與外部 PMOS FET 配合使用,為換能器提供單端直接激勵(lì)。在此配置中,通過(guò)設(shè)置 CURR_LIM_P1 寄存器中的 DIS_CL 位來(lái)禁用電流限制功能,可在 RDSON 模式下使用內(nèi)部 FET。
在此模式下,可使用一個(gè)額外的死區(qū)時(shí)間特性,通過(guò)配置 PULSE_DT 位來(lái)消除外部 PMOS FET 和內(nèi)部低側(cè) FET 之間的擊穿電流。低側(cè) FET 的突發(fā)周期保持不變;但是,死區(qū)時(shí)間編程值會(huì)縮短停用時(shí)間。#X7104 顯示了這種情況。
圖 7-2 回波生成死區(qū)時(shí)間調(diào)整