ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 輸出級(jí)
- 8.3.2 PWM 控制模式（1x PWM 模式）
- 8.3.3 器件接口模式
- 8.3.4 混合模式降壓穩(wěn)壓器
- 8.3.5 AVDD 線(xiàn)性穩(wěn)壓器
- 8.3.6 電荷泵
- 8.3.7 壓擺率控制
- 8.3.8 跨導(dǎo)（死區(qū)時(shí)間）
- 8.3.9 傳播延遲
- 8.3.10 引腳圖
- 8.3.11 主動(dòng)消磁
- 8.3.12 逐周期電流限制
- 8.3.13 霍爾比較器（模擬霍爾輸入）
- 8.3.14 超前角
- 8.3.15 FGOUT 信號(hào)
- 8.3.16 保護(hù)功能
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 SPI 通信
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRY|32
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RRY|32
訂購(gòu)信息
8.3.7 壓擺率控制
對(duì)半橋的 MOSFET 實(shí)施可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)電流控制，以實(shí)現(xiàn)壓擺率控制。MOSFET VDS 壓擺率是優(yōu)化輻射發(fā)射、二極管恢復(fù)尖峰的能量和持續(xù)時(shí)間以及與寄生效應(yīng)相關(guān)的開(kāi)關(guān)電壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。這些壓擺率主要由內(nèi)部 MOSFET 的柵極電荷的速率決定，如圖 8-17 所示。
圖 8-17 壓擺率電路實(shí)現(xiàn)壓擺率可以通過(guò)硬件型號(hào)中的 SLEW 引腳或使用 SPI 型號(hào)中的 SLEW 位進(jìn)行調(diào)整。有四種壓擺率設(shè)置可用：25V/μs、50V/μs、125V/μs 或 200V/μs.壓擺率根據(jù) OUTx 引腳電壓的上升時(shí)間和下降時(shí)間計(jì)算得出，如圖 8-18 所示。
圖 8-18 壓擺率時(shí)序