ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
MCT8315Z 中的功率損耗包括待機功率損耗、LDO 和降壓功率損耗、FET 導通和開關(guān)損耗以及二極管損耗。FET 導通損耗在 MCT8315Z 的總功率耗散中占主導地位。在啟動和故障情況下,輸出電流遠大于正常電流;務(wù)必將這些峰值電流及其持續(xù)時間考慮在內(nèi)。總器件耗散是三個半橋中每個半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。請注意,RDS,ON 隨溫度升高而增加,因此隨著器件發(fā)熱,功率耗散也會增大。在設(shè)計 PCB 和散熱時,應(yīng)考慮這一點。
下面顯示了梯形控制的每個損耗計算公式的摘要。
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損耗類型 |
梯形波 |
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待機功耗 |
Pstandby = VM x IVM_TA |
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LDO(來自 VM) |
PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD |
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FET 導通 |
PCON = 2 x IRMS(trap) x Rds,on(TA) |
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FET 開關(guān) |
PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM |
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Diode |
Pdiode = IRMS(trap) x Vdiode X tdiode x fPWM |
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降壓 |
PBK = 0.97 x VBK x IBK |