ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過(guò)熱警告 (TOTW) 的觸發(fā)點(diǎn),則會(huì)設(shè)置 IC 狀態(tài) (IC_STAT) 寄存器中的 OT 位和狀態(tài)寄存器中的 OTW 位。可以通過(guò)設(shè)置配置控制寄存器中的過(guò)熱警告報(bào)告 (OTW_REP) 位來(lái)啟用 nFAULT 引腳上的 OTW 報(bào)告。器件不會(huì)執(zhí)行任何其他操作,并且會(huì)繼續(xù)運(yùn)行。在這種情況下,當(dāng)內(nèi)核溫度降至低于熱警告的遲滯點(diǎn) (TOTW - TOTW_HYS) 時(shí),nFAULT 引腳會(huì)釋放。OTW 位保持設(shè)置狀態(tài),直到通過(guò) CLR_FLT 位或 nSLEEP 復(fù)位脈沖 (tRST) 將其清除且內(nèi)核溫度低于熱警告觸發(fā)點(diǎn) (TOTW)。