ZHCSXN1A December 2024 – May 2025 MCF8316D
PRODUCTION DATA
該器件受到全面保護,可防止 MOSFET 發生任何跨導 - 在高側和低側 MOSFET 切換期間,MCF8316D 通過插入死區時間 (tdead) 來避免擊穿事件。這是通過檢測高側和低側 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側 MOSFET 的 VGS 已降至低于關斷電平,然后再導通同一半橋的低側 MOSFET(反之亦然)來實現的,如圖 7-11 和圖 7-12 所示。圖 7-12 中顯示的高側和低側 MOSFET 的 VGS(VGS_HS 和 VGS_LS)是內部信號。